Výsledky vyhledávání
- 1.0133675 - FZU-D 20010475 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Hubík, Pavel
Electrostatic screening in integral quantum Hall regime.
3-540-41778-8. In: Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Berlin: Springer, 2001 - (Miura, N.; Ando, T.), s. 1005-1006. Springer proceedings in physics., 87. ISSN 0930-8989.
[International Conference on the Physics of Semiconductors /25./. Osaka (JP), 19.09.2000-22.09.2000]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010806; GA AV ČR IAA1010807; GA ČR GA202/99/0410
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: quantum well * quantum Hall effect * heterodimensinal junctions * magnetocapacitance measurement
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031638 - 2.0133091 - FZU-D 20000454 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Hubík, Pavel
The screening properties of 2DEG in the integral quantum Hall regime.
ASDAM 2000. Conference proceedings. Danvers: IEEE, 2000 - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 135-138. ISBN 0-7803-5939-9.
[International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /3./ ASDAM 2000. Smolenice Castle (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA202/99/0410; GA AV ČR IAA1010806; GA AV ČR IAA1010807
Grant ostatní: European Commission(XE) HPCF-CT-2000-00017
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031079 - 3.0133090 - FZU-D 20000453 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Vančura, Milan - Petříček, Otto - Šimeček, Tomislav
Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties.
ASDAM 2000. Conference proceedings. Danvers: IEEE, 2000 - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 375-378. ISBN 0-7803-5939-9.
[International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /3./ ASDAM 2000. Smolenice Castle (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031078 - 4.0132519 - FZU-D 990469 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vorlíček, Vladimír - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
InAs/GaSb structures on GaSb: A raman scattering study.
Workshop Proceedings - EW MOVPE 7. Praha: FZÚ AV ČR, 1999 - (Mircea, A.; Gregor, V.; Závěta, K.), s. 381-384. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques /8./. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807; GA ČR GA102/99/0414
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030539 - 5.0132425 - FZU-D 990375 RIV CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology.
The Second China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics. National Natural Sciences Foundation of China, 1999 - (Yu, J.), s. 16-23
[China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing (CN), 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/99/1613; GA ČR GA102/99/0414; GA ČR GA202/98/0074; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030451 - 6.0132280 - FZU-D 990209 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Strained InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells grown by MOVPE.
8th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related growth Techniques. Praha: Instite of Physics ASCR, 1999 - (Mircea, a.), s. 425-428. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic VApor Phase Epitaxy and Related growth Techniques /8./ - EW MOVPE. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030313 - 7.0132279 - FZU-D 990208 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Karel, František
Preparation and properties of InAs/GaAs lasers.
8th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related growth Techniques. Praha: Instite of Physics ASCR, 1999 - (Mircea, a.), s. 277-280. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic VApor Phase Epitaxy and Related growth Techniques /8./ - EW MOVPE. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030312