Výsledky vyhledávání
- 1.0303947 - URE-Y 20020080 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Novotný, Jan
P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B91-92, - (2002), s. 38-42. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[DRIP /9./. Rimini, 24.09.2001-28.09.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: luminescence * rare earth compounds * Hall effect * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114091 - 2.0303943 - URE-Y 20020081 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Grym, Jan
Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Tb and Yb addition.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B91/92, - (2002), s. 407-411. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[DRIP /9./. Rimini, 24.09.2001-28.09.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114087 - 3.0303799 - URE-Y 20010077 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of ç-elements in the growth of InP layers for radiation detectors.
Crystal Research and Technology. Roč. 36, 8/10 (2001), s. 979-987. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079.
[Polish Conference on Crystal Growth /PCCG 6./. Poznan, 20.05.2001-23.05.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.536, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113983 - 4.0303795 - URE-Y 20010033 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE InP layers grown in the presence of rare-earth elements.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B80, 1/3 (2001), s. 14-17. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[EXMATEC 2000 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /5./. Heraklion, 21.05.2000-24.05.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113979 - 5.0303794 - URE-Y 20010036 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Gladkov, Petar
P-type InP grown by liquid phase epitaxy with rare earths: not intentional Ge acceptor doping.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B80, 1/3 (2001), s. 10-13. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[EXMATEC 2000 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /5./. Heraklion, 21.05.2000-24.05.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * luminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113978 - 6.0303688 - URE-Y 20000045 RIV CN eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří
Rare earth elements in semiconductors technology - Part I.
Science Foundation in China. Roč. 7, č. 2 (1999), s. 44-47
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing, 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * rare earth compounds * semiconductor technology
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113875 - 7.0303687 - URE-Y 20000044 RIV CN eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Žďánský, Karel
Rare earth elements in semiconductors. Characterization-Part II.
Science Foundation in China. Roč. 7, č. 2 (1999), s. 48-51
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing, 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * III-V semiconductors * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113874 - 8.0303686 - URE-Y 20000043 RIV CN eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Nohavica, Dušan
Temperature dependence of electron Hall concetration in n-type InP and n-type In0.5Ga0.5P.
Science Foundation in China. Roč. 7, č. 2 (1999), s. 25-29
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing, 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113873 - 9.0303449 - URE-Y 990055 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Šrobár, Fedor
A diagrammatic method for analysis of GaAs and InP based optoelectronic devices.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 783-789. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: optoelectronic devices * nonlinear systems
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003143 - 10.0303417 - URE-Y 990061 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
Electro-optical properties of InP epitaxial layers grown with rare-earth admixture.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 765-774. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: photoluminescence * impurity states * electron mobility * rare earth compounds
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003138