Výsledky vyhledávání
- 1.0303871 - URE-Y 20010053 RIV HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Influence of Pr, Tb and Yb on physical properties of InP layers.
Miskolc: University of Miskolc, Innovation and Technology Transfer Centre, 2001. ISBN 963 661 482 2. In: Third International Conference of PHD Students. - (Lehoczky, L.; Kalmár, L.), s. 157-162
[International Conference of PHD Students /3./. Miskolc (HU), 13.08.2001-19.08.2001 (K)]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114055 - 2.0303736 - URE-Y 20000097 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Ležal, Dimitrij - Poulain, M. - Zavadil, Jiří - Procházková, Olga
Sulphide glasses doped with rare-earth elements.
Bratislava: Faculty of Eletrical Engineereng and Information Technology SUT, 2000. ISBN 80-8040-098-9. In: Proceedings of the 5th International Workshop Applied Physics of Condensed Matter APCOM'99. - (Macko, P.; Mudroň, J.; Šutka, P.; Vajda, J.), s. 28-31
[APCOM'99 /5./. Kočovce (SK), 23.06.1999-25.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA ČR GA104/99/0342
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * rare earth metals * glass
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113923 - 3.0303691 - URE-Y 20000086 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Šrobár, Fedor - Jelínek, František - Šaroch, Jaroslav - Žďánský, Karel
Schottky bariers as a diagnostic tool for evaluating properties of InP epitaxial layers prepared from melts containing rare-earth elements.
Piscataway: IEEE, 2000. ISBN 0-7803-5939-9. In: ASDAM 2000. Conference Proceedings of the 3rd International Euro Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 197-199
[ASDAM 2000. Smolenice (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113878 - 4.0303689 - URE-Y 20000085 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor
Thermodynamic complexity measure for semiconductor heterostructures.
Piscataway: IEEE, 2000. ISBN 0-7803-5939-9. In: ASDAM 2000. Conference Proceedings of the 3rd International Euro Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 219-222
[ASDAM 2000. Smolenice (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: epitaxial layers * epitaxial growth
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113876 - 5.0303630 - URE-Y 20000020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zavadil, Jiří - Ležal, Dimitrij - Procházková, Olga
Optical characterization of glass materials doped with rare-earth elements.
Bellingham: SPIE The International Society for Optical Engineering, 2000. Proceedings of SPIE, 4016. ISBN 0-8194-3641-0. ISSN 0277-786X. In: Photonics, Devices, and Systems. - (Hrabovský, M.; Tománek, P.; Miler, M.), s. 478-483
[Photonics Prague'99 /3./. Prague (CZ), 21.06.1999-23.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA ČR GA104/99/0342
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth metals * fibre lasers * chalcogenide glasses * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113818 - 6.0303629 - URE-Y 20000019 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor
Pattern of mutual relationship among parameters determining operation of laser diode amplifier.
Bellingham: SPIE The International Society for Optical Engineering, 2000. Proceedings of SPIE, 4016. ISBN 0-8194-3641-0. ISSN 0277-786X. In: Photonics, Devices, and Systems. - (Hrabovský, M.; Tománek, P.; Miler, M.), s. 292-297
[Photonics Prague'99 /3./. Prague (CZ), 21.06.1999-23.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: nonlinear systems * optoelectronic devices * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113817 - 7.0303480 - URE-Y 990058 RIV CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří
Rare earth elements in semiconductors. Technology-Part I.
Beijing: [Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences], 1999. In: Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics. - (Yu, J.), s. 94-99
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing (CN), 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * rare earth compounds * semiconductor technology
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113695 - 8.0303479 - URE-Y 990074 RIV CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Žďánský, Karel
Rare earth elements in semiconductors. Characterization-Part II.
Beijing: [Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences], 1999. In: Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics. - (Yu, J.), s. 100-105
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing (CN), 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * III-V semiconductors * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113694 - 9.0303478 - URE-Y 990162 RIV CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Nohavica, Dušan
Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In0.5Ga0.5P.
Beijing: [Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences], 1999. In: Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics. - (Yu, J.), s. 52-58
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing (CN), 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113693 - 10.0303456 - URE-Y 990056 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Darmo, J. - Zat'ko, B. - Krempaský, M. - Hasenöhrl, S. - Procházková, Olga - Bešše, I. - Sekáčková, M. - Boháček, Pavel - Pelfer, P.G. - Nečas, V.
Investigation of X- and y-ray detectors based on GaAs and InP with electrodes grown by MOCVD.
Prague: Institute of Physics AS CR, 1999. ISBN 80-238-3551-3. In: EW MOVPE VIII. Proceedings of the 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques. - (Gregor, V.), s. 263
[EW MOVPE /8./. Prague (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * rare earth compounds * semiconductor technology
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113671