Výsledky vyhledávání
- 1.0303272 - URE-Y 980073 RIV CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Novotný, Jan - Kostka, František - Leba, P. - Poupa, M.
Automatizace epitaxního růstu polovodičových heterostruktur.
[Automation of LPE growth of semiconductor heterostructures.]
Plzeň: Vydavatelství Západočeské univerzity, 1998. ISBN 80-7082-443-3. In: Aplikovaná elektronika'98. Sborník referátů mezinárodní vědecké konference. - (Pinker, J.), s. 126-130
[Aplikovaná elektronika'98. Plzeň (CZ), 09.09.1998-10.09.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Klíčová slova: automation * liquid phase epitaxial growth * semiconductors
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113518 - 2.0303200 - URE-Y 980011 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Novotný, Jan - Procházková, Olga - Pekárek, Ladislav
Preparation of InGaAsP/InP heterostructures with defects reduction in the active region.
Bristol: Institute of Physics, 1998. Institute of Physics Conference Series., 160. ISBN 0 7503 0500 2. In: Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors 1997. - (Donecker, J.; Rechenberg, I.), s. 401-404
[Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors - DRIP /7./. Templin (DE), 07.09.1997-10.09.1997]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Klíčová slova: epitaxial layers * crystal defects * crystal defects * light emitting diodes
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113446 - 3.0303198 - URE-Y 980008 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor
Analysis of heterostructure laser-diode amplifier.
Dordrecht: Kluwer, 1998. NATO Science Series 3., 48. ISBN 0-7923-5013-8. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. - (Kordoš, P.; Novák, J.), s. 223-226
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./. Smolenice (SK), 12.10.1997-16.10.1997]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Klíčová slova: optoelectronic devices * nonlinear systems
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113444 - 4.0303196 - URE-Y 980010 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Novotný, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Kohout, Jindřich
Preparation of InP and GaInAsP layers with low density of defects: effect of holmium and erbium gettering.
Bristol: Institute of Physics, 1998. Institute of Physics Conference Series., 160. ISBN 0 7503 0500 2. In: Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors 1997. - (Donecker, J.; Rechenberg, I.), s. 405-408
[Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors - DRIP /7./. Templin (DE), 07.09.1997-10.09.1997]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Klíčová slova: semiconductors * rare earth compounds * crystal defects * liquid phase epitaxial growth
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113442 - 5.0303184 - URE-Y 980006 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Somogyi, K. - Novotný, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Characterisation of InP layers prepared by LPE using ytterbium and erbium admixture.
Dordrecht: Kluwer, 1998. NATO Science Series 3., 48. ISBN 0-7923-5013-8. In: Heterostucture Epitaxy and Devices - HEAD'97. - (Kordoš, P.; Novák, J.), s. 143-146
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./. Smolenice (SK), 12.10.1997-16.10.1997]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Klíčová slova: semiconductors * rare earth compounds * epitaxial growth
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113430