Výsledky vyhledávání
- 1.0105961 - URE-Y 20040121 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Kozak, Halina
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection.
[Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 247-250. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013146 - 2.0105913 - URE-Y 20040069 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Growth kinetics of thick InP layers.
[Kinetika růstu tlustých vrstev InP.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 65-69. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: epitaxial growth * epitaxial layers * nonlinear systems
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013101 - 3.0022690 - ÚFE 2006 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Šrobár, Fedor
Novel approach to micro-channel liquid phase epitaxy technique.
[Nový přístup k metodě zarůstání mikrokanálů kapalnou epitaxí.]
HeTech'05. [Bratislava]: [Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences], 2005, -.
[European Workshop on Heterostructure Technology - HeTech'05 /14./. Smolenice (SK), 02.10.2005-05.10.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: liquid phase epitaxy * III-V semiconductors * rare earth elements
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0111411 - 4.0021058 - ÚFE 2006 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Kozak, Halina
Comparison on influence of rare earth elements and oxides on properties of InP for radiation detection.
[Porovnání vlivu vzácných zemin a jejich oxidů na vlastnosti InP vrstev z hlediska jejich využití při detekci záření.]
IPRM'05 Proceedings of the 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2005 - (Thayne, I.; Marsh, J.; Bryce, C.), p185.pdf. ISBN 0-7803-8892-5.
[IPRM'05 - Indium Phosphide and Related Materials /17./. Glasgow (GB), 08.05.2005-12.05.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * sensors * rare aerth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110089