Výsledky vyhledávání
- 1.0341437 - ÚFE 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Gorodynskyy, Vladyslav - Pekárek, Ladislav
Detectors of Gamma Rays and Alpha Particles Based on Ta-Doped InP Converted to the Semi-Insulating State by Annealing.
IEEE Transactions on Nuclear Science. Roč. 56, č. 5 (2009), s. 2997-3001. ISSN 0018-9499. E-ISSN 1558-1578
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651; GA AV ČR(CZ) KAN401220801; GA AV ČR IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: radiation detection * semiconductor doping * crystal growth
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.591, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184434 - 2.0304294 - URE-Y 20040016 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Gorodynskyy, Vladyslav - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Vacková, S.
Temperature change of Hall and Seebeck coeffficient sign in InP doped with transition metals.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 19, č. 2 (2004), s. 203-207. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: electrical conductivity * Hall effect * Seebeck effect
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 2.152, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114395 - 3.0304222 - URE-Y 20030126 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Hlídek, P. - Pekárek, Ladislav
Behaviour of manganese in InP compared with other impurities of 3d transition metals.
Physica Status Solidi A. Roč. 195, č. 1 (2003), s. 74-80. ISSN 0031-8965.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest, 26.05.2002-29.05.2002]
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: deep levels * semiconductor growth * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.950, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114363 - 4.0304172 - URE-Y 20030031 RIV SK eng J - Článek v odborném periodiku
Vacková, S. - Gorodynskyy, Vladyslav - Žďánský, Karel - Vacek, K.
Phonon drag effect and detection performance of gamma rays in P-CdTe.
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. Roč. 54, 7/8 (2003), s. 218-219. ISSN 1335-3632. E-ISSN 1339-309X
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:MSM 210000018
Klíčová slova: particle detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114313 - 5.0304152 - URE-Y 20030025 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 18, č. 11 (2003), s. 938-944. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:MSM 113200002
Klíčová slova: deep levels * light absorption * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.603, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114293 - 6.0105875 - URE-Y 20040040 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
[Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách.]
European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 27, 1/3 (2004), s. 197-200. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050.
[DRIP /10./. Batz-sur-Mer, 29.09.2003-02.10.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: Hall effect * deep levels * light absorption
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 0.745, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013063 - 7.0105854 - URE-Y 20040027 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Gorodynskyy, Vladyslav - Kosíková, Jitka - Rudra, A. - Kapon, E. - Fekete, D.
Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers.
[Lasery Al xGa 1-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 19, č. 7 (2004), s. 897-901. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductor quantum wells * nanostructured materials * deep levels
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 2.152, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013042 - 8.0040565 - ÚFE 2007 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt.
[Žíhaný semiizolační InP typu p připravený technikou Czochralského s Cu v tavenině.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 21, č. 9 (2006), s. 1256-1260. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: impurity states * Hall effect * spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.586, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134262 - 9.0029827 - ÚFE 2006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Gorodynskyy, Vladyslav - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Malina, Václav - Vacková, S.
Ti and Mn co-doped semi-insulating InP particle detectors operating at room temperature.
[Detektory alfa-částic na bázi InP dopovaného Ti a Mn operujici při pokojové teplotě.]
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 555, 1/2 (2005), s. 288-293. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: particle detectors * radiation detection * indium compounds
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.224, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0119619 - 10.0021476 - FZÚ 2006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Growth of co-doped semi-insulation indium phospide crystals for X-ray detection.
[Růst kodopovaných semiizolačních krystalů indium fosfidu pro detekci rentgenova záření.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 275, - (2005), e409-e413. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002.
[International Conference on Crystal Growth /14./. Grenoble, 09.08.20004-12.08.2004]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: growth from melt * Czochralski method * indium phosphide * semiconductor doping
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.681, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110452