Výsledky vyhledávání
- 1.0104217 - FZU-D 20040559 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Jurka, Vlastimil - Výborný, Zdeněk - Toušková, J.
Growth-rate induced defects in GaSb.
[Defekty v GaSb vyvolané rychlostí růstu.]
ASDAM 2004. Piscataway, N.J.: IEEE Operation Center, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 259-262. ISBN 0-7803-8535-7.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /5./. Smolenice Castle (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA ČR GA202/03/0410; GA AV ČR IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 113200002
Klíčová slova: GaSb * metalorganic vapour phase epitaxy * deep leveltransient spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011494 - 2.0025489 - FZÚ 2006 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecky, F. - Gombia, E. - Hulicius, Eduard - Zat´ko, B. - Hubík, Pavel - Franchi, S. - Sekáčová, M. - Pangrác, Jiří - Frigeri, P. (ed.)
Study of heterojunction blocking electrode technology in performance of radiation detectors based on bulk semi-insulating GaAs.
[Studium vlivu technologie heteropřechodových blokujících elektrod na užitnost radiačních detektorů na bázi semí-izolačního GaAs.]
HeTech 2005. Bratislava: -, 2005, s. 110-111.
[European Workshop on Heterostructure Technology /14./. Smolenice Castle (SK), 02.10.2005-05.10.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/03/0410
Grant ostatní: SGAS(XX) 2/4151/24
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: radiation detector * semi-insulating GaAs * blocking contact
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0115872 - 3.0025487 - FZÚ 2006 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mareš, Jiří J. - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Kindl, Dobroslav - Fanta, Michal - Nesládek, M. - Gruen, D.M.
Quantum electron interference in nano-crystalline diamond films.
[Kvantová elektronová interference ve vrstvách nano-krystalického diamantu.]
HeTech 2005. Bratislava: -, 2005, s. 106-107.
[European Workshop on Heterostructure Technology /14./. Smolenice Castle (SK), 02.10.2005-05.10.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/03/0410
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nano-crystalline diamond * quantum interference * weak localization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0115871 - 4.0021144 - FZÚ 2006 RIV HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dózsa, L. - Hubík, Pavel - Tóth, A. L. - Pongracz, A. - Hulicius, Eduard - Koós, A.A. - Oswald, Jiří
Orange-peel effect in In0.2Ga0.8As/GaAs quantum well structure.
[Jev pomerančové kůry ve strukturách In0.2Ga0.8As/GaAs s kvantovou jámou.]
Proceedings of the First Intnl Workhop on Semiconductor Nanocrystals SEMINAMO 2005. Budapest: -, 2005 - (Pödör, P.; Horváth, Z.; Basa, P.), s. 127-130. ISBN 963-7371-19-2.
[SEMINANO2005: First Intnl Workshop on Semiconductor Nanocrystals. Budapest (HU), 10.09.2005-12.09.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/03/0410; GA AV ČR(CZ) IAA1010318; GA AV ČR(CZ) IAA1010404
Grant ostatní: OTKA(HU) T035273; OTKA(HU) T049131; EU FP6-SEMINAMO(XE) 505285
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: orange-peel * quantum well * InGaAs/GaAs * capacitance transients
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110156 - 5.0020690 - FZÚ 2006 RIV HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dózsa, L. - Hubík, Pavel - Tóth, A. L. - Pongracz, A. - Hulicius, Eduard - Koós, A.A.
Nanostructure in In0.2Ga0.8As/GaAs quantum well structure.
[Nanostruktura In0.2Ga0.8As/GaAs s kvantovou jámou.]
Hungarian Nanotechnology Symposium 2005 HUNS2005. Budapest: MTA MFA Budapest, 2005, s. 52-52. ISBN 963 7371 176.
[HUNS 2005. Budapest (HU), 21.03.2005-22.03.2005]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010318; GA AV ČR(CZ) IAA1010404; GA ČR GA202/03/0410
Grant ostatní: EU FP6(XE) 505285
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InGaAs/GaAs * quantum well * electron microscopy * EBIC * capacitance transients
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0109749