Výsledky vyhledávání
- 1.0100334 - FZU-D 20040269 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Luterová, Kateřina - Švrček, Vladimír - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Ito, M. - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique.
[Tenké křemíkové vrstvy napařené při nízkých teplotách substrátu studované metodou povrchového fotonapětí.]
Thin Solid Films. 451-452, - (2004), s. 408-412. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GP202/01/D030; GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101; GA MŠMT ME 537
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: micro-crystalline Si * low-temperature deposition * surface photovoltage
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.647, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007837 - 2.0040652 - FZÚ 2007 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Kočka, Jan - Mates, Tomáš - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Fejfar, Antonín
Characterization of grain growth, nature and role of grain boundaries in microcrystalline silicon – review of typical features.
[Charakterizace růstu zrn, povahy a role hranic zrn v mikrokrystalickém křemíku – přehled typických vlastností.]
Thin Solid Films. Roč. 501, - (2006), s. 107-112. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 537; GA MŽP(CZ) SM/300/1/03; GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: microcrystalline silicon * growth * transport * hydrogen
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.666, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134326 - 3.0040095 - FZÚ 2007 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Knížek, Karel - Ledinský, Martin - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Yamazaki, T. - Uraoka, Y. - Fuyuki, T.
Hydrogenation of polycrystalline silicon thin films.
[Hydrogenace temkých vrstev polykrystalického křemíku.]
Thin Solid Films. Roč. 501, - (2006), s. 144-148. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA MŠMT ME 537; GA MŽP(CZ) SM/300/1/03; GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413; GA ČR(CZ) GA202/03/0789
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: polycrystalline silicon * atmospheric pressure chemical vapour deposition * hydrogen passivation * photoluminescence * Raman spectroscopy * Si-H2 bonding * hydrogen molecules
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.666, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0133955 - 4.0000498 - FZÚ 2005 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Ito, M. - Ro, K. - Yoneyama, S. - Ito, Y. - Uyama, H. - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Stuchlíková, The-Ha - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.
[Křemíkové tenké vrystvy připravené za velmi nízkých teplotách podložek.]
Thin Solid Films. Roč. 442, č. 4 (2003), s. 163-166. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 537
Klíčová slova: amorphous materials * microcrystal-Si * chemical vapor deposition(CVD)
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.598, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0017730