Výsledky vyhledávání
- 1.0537290 PL BXXS
Acta physica polonica A.
Varšava: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2020. ISBN N. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X - 2.0536510 - ÚFP 2021 RIV PL eng J - Článek v odborném periodiku
Lukáč, František - Hruška, Petr - Cichoň, Stanislav - Vlasák, T. - Čížek, J. - Kmjec, T. - Melikhova, O. - Butterling, M. - Liedke, M. O. - Wagner, A.
Defects in thin layers of high entropy alloy HfNbTaTiZr.
Acta physica polonica A. Roč. 137, č. 2 (2020), s. 219-221. ISBN N. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X
Grant CEP: GA ČR GA17-17016S
Institucionální podpora: RVO:61389021 ; RVO:68378271
Klíčová slova: HfNbTaTiZr * Thin Layers * High Entropy
Obor OECD: Materials engineering; Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) (FZU-D)
Impakt faktor: 0.577, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/137/app137z2p32.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314286 - 3.0346227 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
InGaAsP/InP infrared light emitting diodes prepared by liquid phase epitaxy from rare-earth treated melt.
XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2009, s. 129-129.
[XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj (PL), 19.06.2009-26.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * Rare-earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187303 - 4.0346226 PL BXXS
XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009.
Krynica-Zdroj: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2009 - 5.0303870 - URE-Y 20010052 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
The comparison of the influence of Pr, Nd and Tb on the characteristics of InP epitaxial layers.
Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2001. Jaszowiec 2001. s. 59
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds /30./. 01.06.2001-08.06.2001, Ustron-Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114054 - 6.0105910 - URE-Y 20040065 PL eng A - Abstrakt
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Minority carrier injection introducing a feedback mechanism in Shottky barriers on wide-gap semiconductors.
XXXIII International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2004. Warszaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2004. s. 60.
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds /33./. 29.05.2004-04.06.2004, Ustron-Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductor devices * nonlinear systems
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013098 - 7.0088188 PL BXXS
XXXVI International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2007.
Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2007 - 8.0087828 - ÚFE 2008 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Šrobár, Fedor
Gettering effects of rare-earth elements in the growth of InP layers.
[Getrační efekty prvků vzácných zemin při růstu vrstev InP.]
XXXVI International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2007. Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2007. s. 38--.
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2007 /36./. 09.06.2007-15.06.2007, Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
http://info.ifpan.edu.pl/Jaszowiec/J2007/Jaszowiec2007_booklet_web.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004203