Výsledky vyhledávání
Váš dotaz:
Předmět (klíč.slova) = "structure modification in c plane and a plane"
- 1.0497102 - ÚJF 2019 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Klímová, K. - Sedmidubský, D. - Mikulics, M. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Damage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions.
Surface and Coatings Technology. Roč. 355, SI (2018), s. 22-28. ISSN 0257-8972.
[International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB). Lisbon, 09.07.2017-14.07.2017]
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: GaN damage accumulation * structure modification in c-plane and a-plane * GaN * RBS channeling studies of implanted GaN
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 3.192, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289694 - 2.0496731 - ÚJF 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Klímová, K. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions.
Surface and Interface Analysis. Roč. 50, č. 11 (2018), s. 1099-1105. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918.
[17th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 2017). Monpellier, 24.09.2017-29.09.2017]
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: damage accumulation in GaN * RBS channeling in ion-modified GaN * structure modification in c-plane and a-plane GaN
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.319, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289383