Výsledky vyhledávání
- 1.0541054 - FZÚ 2021 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Dasog, M. - Fučíková, Anna - Goyal, A. - Kamali, A.R. - Kůsová, Kateřina - Popelář, Tomáš - Sun, W. … celkem 10 autorů
Optical and electronic properties: from theory to experiments: general discussion.
Faraday Discussions. Roč. 222, June (2020), s. 294-303. ISSN 1359-6640. E-ISSN 1364-5498
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanostructures * optical properties * electronic properties
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.008, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1039/D0FD90005B
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318638 - 2.0541053 - FZÚ 2021 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Ceroni, P. - Fučíková, Anna - Goyal, A. - Kamali, A.R. - Kůsová, Kateřina - Dohnalová, Kateřina - Sun, W. … celkem 14 autorů
Synthesis and functionalisation of silicon nanostructures: general discussion.
Faraday Discussions. Roč. 222, June (2020), s. 166-175. ISSN 1359-6640. E-ISSN 1364-5498
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanostructures * synthesis * functionalization
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.008, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1039/D0FD90004D
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318637 - 3.0432079 - FZÚ 2015 CZ eng D - Dizertace
Hývl, Matěj
Study of silicon nanostructures by microscopic methods.
České vysoké učení technické v Praze, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská. - Praha: ČVUT, 2014. 72 s.
Grant CEP: GA MPO FR-TI2/736; GA ČR GA13-12386S; GA MŠMT(CZ) LM2011026; GA ČR GB14-37427G
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101216
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanostructures * AFM * Raman intensity mapping * nanoindentation * radial junctions * Si NWs * LPC polycrystalline silicon thin films
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0236555 - 4.0320307 - FZÚ 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Valenta, J. - Pelant, Ivan
Comment on "Stimulated emission from trap electronic states in oxide of nanocrystal Si" /Appl. Phys. lett. 92, 221910 (2008)/.
[Poznámka k článku "Simulovaná emise z elektronových pastí v oxidu nanokrystalického křemíku". /Appl. Phys. Lett. 92, 221910 (2008)/.]
Applied Physics Letters. Roč. 93, č. 6 (2008), 066101/1-066101/1. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon nanostructures * porous silicon * stimulated emission * ruby rod
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.726, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169224