Výsledky vyhledávání
- 1.0338241 - FZÚ 2010 RIV FR eng A - Abstrakt
Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Braun, W.
Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions.
[Bravais mřižkova rozmanitost III-V polovodičů: srovnávací studium GaSb(001) a GaAs(001) povrchových rekonstrucke.]
13th International Conference on the Applications of Density Functional Theory in Chemistry and Physics. Lyon: -, 2009. s. 234.
[International Conference on the Application of the Density Functional Theory /13./. 31.08.2009-04.09.2009, Lyon]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100628
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaSb(001) * GaAs(001) * DFT * molecular beam epitaxy (MBE)
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0182073 - 2.0337230 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Braun, W.
Stoichiometry and Bravais lattice diversity: an ab initio study of the GaSb(001) surface.
[Stechiometrie a Bravais mřižková rozmanitost: ab initio studium GaSb(001) povrchu.]
Physical Review. B. Roč. 79, č. 23 (2009), 235330/1-235330/7. ISSN 1098-0121. E-ISSN 2469-9969
Grant ostatní: GRF(DE) GZ:436 TSE 113/62/0-1
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaSb(001) surface * molecular beam epitaxy (MBE) * DFT
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.475, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181284 - 3.0319880 - FZÚ 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Tinkham, B.P. - Romanyuk, Olexandr - Braun, W. - Ploog, K.H. - Grosse, F. - Takahasi, M. - Kaizu, T. - Mizuki, J.
GaSb(001) surface reconstructions measured at the growth front by furface X-ray diffraction.
[Měření SXRD na GaSb(001) rekonstrukce.]
Journal of Electronic Materials. Roč. 37, č. 12 (2008), s. 1793-1798. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaSb(001) surface * molecular beam epitaxy (MBE) * x-ray diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.283, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005022 - 4.0104224 - FZU-D 20040566 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Cukr, Miroslav - Bartoš, Igor
LEED structural analysis of GaAs(001)-c(4X4) surface.
[Strukturní analýza povrchu GaAs(001)-c(4X4) metodou LEED.]
Surface Science. 566-568, - (2004), s. 89-93. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010108
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: electron-solid interactions * low energy electron diffraction(LEED) * molecular beam epitaxy(MBE) * surface relaxation and reconstruction * gallium arsenide * low index single crystal scattering * diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.168, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011501