Výsledky vyhledávání
- 1.0324565 - FZÚ 2009 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Nohavica, Dušan
Epitaxní růst z kapalné fáze.
[Liquid phase epitaxy.]
Škola růstu krystalů 2008. Praha: Československá společnost pro růst krystalů, 2008 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 1-13. ISBN 978-80-254-2651-7.
[Škola růstu krystalů. Hnanice-Znojmo (CZ), 01.09.2008-02.09.2008]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * dislocations * stacking faults
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172225 - 2.0304157 - URE-Y 20030070 RIV CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga
Physical properties of InP epitaxial layers prepared with dysprosium admixture.
Prague: Czech Technical University, 2003. CTU Reports., 7, 2003 Sp. Issue. ISBN 80-01-02708-2. In: Proceedings of Workshop 2003., s. 550-551
[Workshop 2003. Annual University-Wide Seminar /10./. Prague (CZ), 10.02.2003-12.02.2003 (W)]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043; GA ČR GA102/03/0379
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth elements * liquid phase epitaxial growth * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114298 - 3.0304080 - URE-Y 20020135 CZ eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga
Role of liquid phase epitaxy in preparation of semiconductor materials for radiation detectors.
Prague: Czech Technical University, 2002. Poster 2002. Book of Exteded Abstracts. s. PE13.1-PE13.2
[International Student Conference on Electrical Engineering Poster 2002 /6./. 23.05.2002-23.05.2002, Prague]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043; GA MŠMT 300106513
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth elements * liquid phase epitaxial growth * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114224 - 4.0304079 - URE-Y 20020134 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga
Influence of rare-earth elements on InP-based semiconductor structures for radiation detectors.
Prague: Czech Technical University, 2002. CTU Reports., Vol. 5, 2002 Sp. Issue. ISBN 80-01-02511-X. In: Proceedings of Workshop 2002., s. 532-533
[Workshop 2002. Prague (CZ), 11.02.2002-13.02.2002 (W)]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043; GA MŠMT 300106513
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth elements * liquid phase epitaxial growth * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114223 - 5.0303982 - URE-Y 20020008 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga
Modification of propertis of InP-based semiconductor materials by REE.
Warsaw: Zaklad Graficzny UW, 2002. XXXI International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2002. Program & Abstracts. s. 63
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec /31./. 07.06.2002-14.06.2002, Jaszowiec]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * rare earth elements * epitaxial growth * liquid phase epitaxial growth * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114126 - 6.0303943 - URE-Y 20020081 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Grym, Jan
Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Tb and Yb addition.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B91/92, - (2002), s. 407-411. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[DRIP /9./. Rimini, 24.09.2001-28.09.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114087 - 7.0303871 - URE-Y 20010053 RIV HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Influence of Pr, Tb and Yb on physical properties of InP layers.
Miskolc: University of Miskolc, Innovation and Technology Transfer Centre, 2001. ISBN 963 661 482 2. In: Third International Conference of PHD Students. - (Lehoczky, L.; Kalmár, L.), s. 157-162
[International Conference of PHD Students /3./. Miskolc (HU), 13.08.2001-19.08.2001 (K)]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114055 - 8.0303870 - URE-Y 20010052 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
The comparison of the influence of Pr, Nd and Tb on the characteristics of InP epitaxial layers.
Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2001. Jaszowiec 2001. s. 59
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds /30./. 01.06.2001-08.06.2001, Ustron-Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114054 - 9.0303869 - URE-Y 20010050 CZ eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of rare earth elements in growth process of InP LPE layers.
Prague: Czech Technical University, 2001. Poster 2001. Book of Extended Abstract. s. NS16.1-NS16.2
[International Student Conference on Electrical Engineering /5./. 24.05.2001, Prague]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114053 - 10.0303868 - URE-Y 20010046 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Characterisation of InP layers prepared by the LPE method with Pr and Nd addition in the growth melt.
Prague: Czech Technical University, 2001. CTU Reports., Vol. 5, 2001 Sp. Issue. ISBN 80-01-02335-4. In: Proceedings of Workshop 2001., s. 450-451
[Workshop 2001. Prague (CZ), 05.02.2001-07.02.2001 (W)]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114052