Výsledky vyhledávání
- 1.0508842 - ÚJF 2020 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mikšová, Romana - Horák, Pavel - Holý, V. - Macková, Anna
Study of thermal recrystallisation in Si implanted by 0.4-MeV heavy ions.
Surface and Interface Analysis. Roč. 51, č. 11 (2019), s. 1113-1120. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
Grant CEP: GA ČR GA18-03346S; GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: ion implantation of Si * ion channelling in a crystal material * heavy ions implantation * structural modification of an ion-implanted silicon crystal
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.665, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/sia.6698
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300721 - 2.0493527 - ÚJF 2019 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Mikšová, Romana - Macková, Anna - Jagerová, Adéla - Malinský, Petr - Slepička, P. - Švorčík, V.
Structural study and ion-beam channelling in Si < 1 0 0 > modified by Kr+, Ag-+,Ag- 2+ and Au-+,Au- 2+ ions.
Applied Surface Science. Roč. 458, č. 11 (2018), s. 722-733. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR(CZ) GBP108/12/G108; GA MŠMT EF16_013/0001812
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: ion irradiation of silicon * ion channelling in a crystal material * MC modeling of ion channelling * structural modification of an ion-implanted silicon crystal
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 5.155, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0286881 - 3.0331687 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Žídek, K. - Trojánek, F. - Dzurňák, B. - Malý, P. - Pelant, Ivan
Spectral and dynamical study of nonlinear luminescence from silicon nanocrystals excited by ultrashort pulses.
[Stuidum spektrálních a dynamických vlastností nelineární luminiscence z křemíkových nanokrystalů excitovaných ultrakrátkými pulsy.]
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 41, č. 6 (2009), 959-962. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA101120804; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/07/0818
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: implanted silicon * Auger recombination * nonlinear luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.177, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0177137