Výsledky vyhledávání
- 1.0571729 - ÚFE 2024 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Gomeniuk, Y.V. - Gomeniuk, Y. Y. - Kondratenko, S. V. - Rudenko, T. E. - Vasin, Andrii - Rusavsky, A.V. - Slobodian, O. M. - Tyagulskyy, I.P. - Kostylyov, V. P. - Vlasiuk, V. M. - Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Lysenko, V.S. - Nazarov, A.N.
Effect of PEDOT:PSS Layer Deposition on Electrical and Photoelectrical Properties of n(+)-ZnO/n-Si Heterostructure.
Journal of Electronic Materials. Roč. 52, č. 5 (2023), s. 3112-3120. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: ZnO thin films * solar cells * organic-inorganic heterojunctions * impedance spectroscopy * interface traps
Obor OECD: Materials engineering
Impakt faktor: 2.1, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345174Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0571729.pdf 2 461.7 KB Jiná vyžádat - 2.0543279 - ÚFE 2022 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Tiagulskyi, Stanislav - Bašinová, Nikola
Influence of Surface Polarity on Optoelectronic Properties of PEDOT:PSS/ZnO Hybrid Heterojunctions.
Physica Status Solidi A. Roč. 218, č. 6 (2021), č. článku 2000612. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: hybrid heterojunctions * current–voltage characteristics * poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(4-styrenesulfonate) * zinc oxide
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 2.170, rok: 2021
Způsob publikování: Open access
https://doi.org/10.1002/pssa.202000612
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320512 - 3.0538098 - ÚFE 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Roesel, David - Vaniš, Jan - Grym, Jan - Veselý, J.
Highly Rectifying Heterojunctions Formed by Annealed ZnO Nanorods on GaN Substrates.
Nanomaterials. Roč. 10, č. 3 (2020), č. článku 508. E-ISSN 2079-4991
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: ZnO nanorods * Nanoscale heterojunctions * Current-voltage characteristics
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 5.076, rok: 2020
Způsob publikování: Open access
https://doi.org/10.3390/nano10030508
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315911Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0538098.pdf 3 2 MB Jiná vyžádat - 4.0538001 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Vaniš, Jan - Grym, Jan
Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate.
Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 107, 1 March (2020), č. článku 104808. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Current-voltage characteristics * Focused ion beam patterning * Nanoscale heterojunctions * ZnO nanorods
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 3.927, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104808
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315834Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0538001.pdf 0 1 MB Jiná vyžádat - 5.0537850 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Belhaj, M. - Dridi, Ch. - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
The improvement of UV photodetection based on polymer/ZnO nanorod heterojunctions.
Organic Electronics. Roč. 77, FEB (2020), č. článku 105545. ISSN 1566-1199. E-ISSN 1878-5530
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Heterojunctions * Photoluminescence * Polymer * UV photodiode * ZnO NRs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.721, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.orgel.2019.105545
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315681Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0537850.pdf 1 1.4 MB Jiná vyžádat - 6.0536704 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Conrad, B. - Antognini, L. - Amalathas, A.P. - Boccard, M. - Holovský, Jakub
Illumination-dependent requirements for heterojunctions and carrier-selective contacts on silicon.
IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 10, č. 5 (2020), s. 1214-1225. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
Grant CEP: GA ČR GA18-24268S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: carrier selective contacts * heterojunctions * photovoltaic cells * silicon devices * simulation
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 3.887, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2020.2998900
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314430 - 7.0523535 - ÚFE 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Vaniš, Jan - Grym, Jan
Homogeneous Resistive Switching in Individual ZnO Nanorod p-n Junctions.
International Semiconductor Conference (CAS 2019). New York: IEEE, 2019 - (Brezeanu, G.), s. 289-292. ISBN 978-1-7281-1888-8. ISSN 1545-827X.
[42nd International Semiconductor Conference (CAS). Sinaia (RO), 09.10.2019-11.10.2019]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Nanoprobe I-V * Nanoscale heterojunctions * FIB
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307889Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0523535.pdf 2 230.7 KB Autorský preprint vyžádat - 8.0511312 - FZÚ 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Tomasi, A. - Paviet-Salomon, B. - Lachenal, D. - de Nicolas, S.M. - Ledinský, Martin - Descoeudres, A. - Nicolay, S. - De Wolf, S. - Ballif, C.
Photolithography-free interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with efficiency > 21%.
IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2014) /40./. New York: IEEE, 2014, s. 3644-3648. ISBN 9781479943982.
[IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2014) /40./. Denver (US), 08.06.2014-13.06.2014]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: amorphous silicon * crystalline silicon * heterojunctions * solar cells * photovoltaic cells
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0301613 - 9.0500632 - FZÚ 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Morales-Masis, M. - Rucavado, E. - Monnard, R. - Barraud, L. - Holovský, Jakub - Despeisse, M. - Boccard, M. - Ballif, C.
Highly conductive and broadband transparent Zr-doped In2O3 as front electrode for solar cells.
IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 8, č. 5 (2018), s. 1202-1207. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
Grant CEP: GA ČR GA18-24268S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electron mobility * heterojunctions * solar cells * silicon * transparent electrodes * wide band gap semiconductors * zirconium-doped indium oxide (IO:Zr)
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.398, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292711 - 10.0471531 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Seif, J. - Descoeudres, A. - Nogay, G. - Hänni, S. - de Nicolas, S.M. - Holm, N. - Geissbühler, J. - Hessler-Wyser, A. - Duchamp, M. - Dunin-Borkowski, R.E. - Ledinský, Martin - De Wolf, S. - Ballif, C.
Strategies for doped nanocrystalline silicon integration in silicon heterojunction solar cells.
IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 6, č. 5 (2016), s. 1132-1140. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: microcrystalline silicon * nanocrystalline silicon * silicon heterojunctions (SHJs) * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.712, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268904