Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0571729 - ÚFE 2024 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Gomeniuk, Y.V. - Gomeniuk, Y. Y. - Kondratenko, S. V. - Rudenko, T. E. - Vasin, Andrii - Rusavsky, A.V. - Slobodian, O. M. - Tyagulskyy, I.P. - Kostylyov, V. P. - Vlasiuk, V. M. - Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Lysenko, V.S. - Nazarov, A.N.
    Effect of PEDOT:PSS Layer Deposition on Electrical and Photoelectrical Properties of n(+)-ZnO/n-Si Heterostructure.
    Journal of Electronic Materials. Roč. 52, č. 5 (2023), s. 3112-3120. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: ZnO thin films * solar cells * organic-inorganic heterojunctions * impedance spectroscopy * interface traps
    Obor OECD: Materials engineering
    Impakt faktor: 2.1, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345174
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0571729.pdf2461.7 KBJinávyžádat
     
     
  2. 2.
    0543279 - ÚFE 2022 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Tiagulskyi, Stanislav - Bašinová, Nikola
    Influence of Surface Polarity on Optoelectronic Properties of PEDOT:PSS/ZnO Hybrid Heterojunctions.
    Physica Status Solidi A. Roč. 218, č. 6 (2021), č. článku 2000612. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: hybrid heterojunctions * current–voltage characteristics * poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(4-styrenesulfonate) * zinc oxide
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Impakt faktor: 2.170, rok: 2021
    Způsob publikování: Open access
    https://doi.org/10.1002/pssa.202000612
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320512
     
     
  3. 3.
    0538098 - ÚFE 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Roesel, David - Vaniš, Jan - Grym, Jan - Veselý, J.
    Highly Rectifying Heterojunctions Formed by Annealed ZnO Nanorods on GaN Substrates.
    Nanomaterials. Roč. 10, č. 3 (2020), č. článku 508. E-ISSN 2079-4991
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: ZnO nanorods * Nanoscale heterojunctions * Current-voltage characteristics
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Impakt faktor: 5.076, rok: 2020
    Způsob publikování: Open access
    https://doi.org/10.3390/nano10030508
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315911
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0538098.pdf32 MBJinávyžádat
     
     
  4. 4.
    0538001 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Vaniš, Jan - Grym, Jan
    Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate.
    Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 107, 1 March (2020), č. článku 104808. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Current-voltage characteristics * Focused ion beam patterning * Nanoscale heterojunctions * ZnO nanorods
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Impakt faktor: 3.927, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104808
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315834
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0538001.pdf01 MBJinávyžádat
     
     
  5. 5.
    0537850 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Belhaj, M. - Dridi, Ch. - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
    The improvement of UV photodetection based on polymer/ZnO nanorod heterojunctions.
    Organic Electronics. Roč. 77, FEB (2020), č. článku 105545. ISSN 1566-1199. E-ISSN 1878-5530
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00355S
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Heterojunctions * Photoluminescence * Polymer * UV photodiode * ZnO NRs
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.721, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.orgel.2019.105545
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315681
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0537850.pdf11.4 MBJinávyžádat
     
     
  6. 6.
    0536704 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Conrad, B. - Antognini, L. - Amalathas, A.P. - Boccard, M. - Holovský, Jakub
    Illumination-dependent requirements for heterojunctions and carrier-selective contacts on silicon.
    IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 10, č. 5 (2020), s. 1214-1225. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
    Grant CEP: GA ČR GA18-24268S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: carrier selective contacts * heterojunctions * photovoltaic cells * silicon devices * simulation
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Impakt faktor: 3.887, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2020.2998900
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314430
     
     
  7. 7.
    0523535 - ÚFE 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Vaniš, Jan - Grym, Jan
    Homogeneous Resistive Switching in Individual ZnO Nanorod p-n Junctions.
    International Semiconductor Conference (CAS 2019). New York: IEEE, 2019 - (Brezeanu, G.), s. 289-292. ISBN 978-1-7281-1888-8. ISSN 1545-827X.
    [42nd International Semiconductor Conference (CAS). Sinaia (RO), 09.10.2019-11.10.2019]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Nanoprobe I-V * Nanoscale heterojunctions * FIB
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307889
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0523535.pdf2230.7 KBAutorský preprintvyžádat
     
     
  8. 8.
    0511312 - FZÚ 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Tomasi, A. - Paviet-Salomon, B. - Lachenal, D. - de Nicolas, S.M. - Ledinský, Martin - Descoeudres, A. - Nicolay, S. - De Wolf, S. - Ballif, C.
    Photolithography-free interdigitated back-contacted silicon heterojunction solar cells with efficiency > 21%.
    IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2014) /40./. New York: IEEE, 2014, s. 3644-3648. ISBN 9781479943982.
    [IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2014) /40./. Denver (US), 08.06.2014-13.06.2014]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: amorphous silicon * crystalline silicon * heterojunctions * solar cells * photovoltaic cells
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0301613
     
     
  9. 9.
    0500632 - FZÚ 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Morales-Masis, M. - Rucavado, E. - Monnard, R. - Barraud, L. - Holovský, Jakub - Despeisse, M. - Boccard, M. - Ballif, C.
    Highly conductive and broadband transparent Zr-doped In2O3 as front electrode for solar cells.
    IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 8, č. 5 (2018), s. 1202-1207. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
    Grant CEP: GA ČR GA18-24268S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: electron mobility * heterojunctions * solar cells * silicon * transparent electrodes * wide band gap semiconductors * zirconium-doped indium oxide (IO:Zr)
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.398, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292711
     
     
  10. 10.
    0471531 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Seif, J. - Descoeudres, A. - Nogay, G. - Hänni, S. - de Nicolas, S.M. - Holm, N. - Geissbühler, J. - Hessler-Wyser, A. - Duchamp, M. - Dunin-Borkowski, R.E. - Ledinský, Martin - De Wolf, S. - Ballif, C.
    Strategies for doped nanocrystalline silicon integration in silicon heterojunction solar cells.
    IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 6, č. 5 (2016), s. 1132-1140. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: microcrystalline silicon * nanocrystalline silicon * silicon heterojunctions (SHJs) * solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.712, rok: 2016
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268904
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.