Výsledky vyhledávání
- 1.0579923 - ÚI 2024 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Tang, X. - Chappa, G. K. - Viera, L. - Holeňa, Martin - Dropka, N.
Decision Tree-Supported Analysis of Gallium Arsenide Growth Using the LEC Method.
Crystals. Roč. 13, č. 12 (2023), s. 1659. ISSN 2073-4352. E-ISSN 2073-4352
Institucionální podpora: RVO:67985807
Klíčová slova: LEC growth * gallium arsenide * CFD * regression tree
Obor OECD: Computer sciences, information science, bioinformathics (hardware development to be 2.2, social aspect to be 5.8)
Impakt faktor: 2.7, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
https://doi.org/10.3390/cryst13121659
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0348712Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0579923-aoa.pdf 2 5.7 MB OA CC BY 4.0 Autorský preprint povolen - 2.0509922 - ÚFP 2020 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Medvedev, Nikita - Fang, Z. - Xia, Ch. - Li, Z.
Thermal and nonthermal melting of III-V compound semiconductors.
Physical Review B. Roč. 99, č. 14 (2019), č. článku 144101. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2015083
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: binding molecular-dynamics * electronic-structure * gallium-arsenide * gaas
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.575, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.99.144101
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300512 - 3.0439648 - FZÚ 2015 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pokorný, M. - Kozák, M. - Trojánek, F. - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice
Type-I InAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer.
Nanophotonic Materials XI. Bellingham: SPIE, 2014 - (Cabrini, S.; Lerondel, G.; Schwartzberg, A.; Mokari, T.), s. 916113. Proceedings of SPIE, 9161. ISBN 978-1-62841-188-1. ISSN 0277-786X.
[Conference on Nanophotonic Materials XI. San Diego, CA (US), 20.08.2014-21.08.2014]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: indium arsenide * quantum dots * gallium arsenide * luminescence * near infrared * telecommunications * upconversion
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242871 - 4.0375044 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hawthorn, D.G. - He, F. - Venema, L. - Davis, H. - Achkar, A.J. - Zhang, J. - Sutarto, R. - Wadati, H. - Radi, A. - Wilson, T. - Wright, G. - Shen, K.M. - Geck, J. - Zhang, H. - Novák, Vít - Sawatzky, G.A.
An in-vacuum diffractometer for resonant elastic soft x-ray scattering.
Review of Scientific Instruments. Roč. 82, č. 7 (2011), 073104/1-073104/8. ISSN 0034-6748. E-ISSN 1089-7623
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: gallium arsenide * lanthanum compounds * manganese compounds * neodymium * reflectivity * semiconductor thin films * strontium compounds * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.367, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0207811 - 5.0357129 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mašek, Jan - Máca, František - Kudrnovský, Josef - Makarovský, O. - Eaves, L. - Campion, R. P. - Edmonds, K. W. - Rushforth, A.W. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L. - Novák, Vít - Sinova, Jairo - Jungwirth, Tomáš
Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As.
Physical Review Letters. Roč. 105, č. 22 (2010), 227202/1-227202/4. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0456; GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652
GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: gallium arsenide * semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 7.621, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0195468 - 6.0340742 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Jiříček, Petr - Cukr, Miroslav - Bartoš, Igor - Sadowski, J.
Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface.
Surface Science. Roč. 603, č. 20 (2009), s. 3088-3093. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0601; GA AV ČR IAA100100628
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: gallium arsenide * angle resolved photoemission * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy * molecular beam epitaxy * surface core level shift
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.798, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0183924 - 7.0337224 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Garate, I. - Sinova, J. - Jungwirth, Tomáš - MacDonald, A.
Theory of weak localization in ferromagnetic (Ga,Mn)As.
[Teorie slabé lokalizace ve feromagnetickém (Ga,Mn)As.]
Physical Review. B. Roč. 79, č. 15 (2009), 155702/1-155702/13. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
GRANT EU: European Commission(XE) 214499 - NAMASTE; European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electrical conductivity * exchange interactions (electron) * ferromagnetic materials * gallium arsenide * magnetic semiconductors * magnetoresistance
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.475, rok: 2009
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.79.155207
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181278 - 8.0330532 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs.
[Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin.]
Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. ISSN 0749-6036. E-ISSN 1096-3677
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.910, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176305 - 9.0315348 - FZÚ 2009 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Cukr, Miroslav - Jiříček, Petr - Bartoš, Igor - Sadowski, J.
Angle - resolved photoemission study of two phases of the GaAs(100)-c(4x4) surface.
[Studium dvou fází povrchu GaAs (100)-c(4x4) pomocí úhlově rozlišené fotoemise.]
Journal of Physics: Conference Series. Roč. 100, - (2008), 072017/1-072017/4. ISSN 1742-6588. E-ISSN 1742-6596
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100628; GA ČR GA202/07/0601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: gallium arsenide * molecular beam epitaxy * photoelectron spectroscopy * surface reconstruction * surface phases * electron states
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0165573 - 10.0312415 - FZÚ 2009 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Kužel, Petr - Kadlec, Filip
Tunable structures and modulators for THz light.
[Laditelné struktury a modulátory THz záření.]
Comptes Rendus Physique. Roč. 9, - (2008), 197-214. ISSN 1631-0705. E-ISSN 1878-1535
Grant CEP: GA AV ČR KJB100100512; GA MŠMT LC512
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: terahertz radiation * tunable devices * photonic crystals * strontium titanate * gallium arsenide
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.164, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163486