Výsledky vyhledávání
- 1.0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342845Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0572001.pdf 0 4.8 MB CC Licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0500632 - FZÚ 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Morales-Masis, M. - Rucavado, E. - Monnard, R. - Barraud, L. - Holovský, Jakub - Despeisse, M. - Boccard, M. - Ballif, C.
Highly conductive and broadband transparent Zr-doped In2O3 as front electrode for solar cells.
IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 8, č. 5 (2018), s. 1202-1207. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
Grant CEP: GA ČR GA18-24268S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electron mobility * heterojunctions * solar cells * silicon * transparent electrodes * wide band gap semiconductors * zirconium-doped indium oxide (IO:Zr)
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.398, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292711 - 3.0499566 - FZÚ 2019 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Babchenko, O. - Vanko, G. - Gerboc, M. - Ižák, Tibor - Vojs, M. - Lalinský, T. - Kromka, Alexander
Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 degrees C.
Diamond and Related Materials. Roč. 89, Oct (2018), s. 266-272. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: AlGaN/GaN heterostructure * diamond film * high electron mobility transistor * hybrid device * high temperature operation * electronic properties
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 2.290, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0291761 - 4.0456839 - FZÚ 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Uhnevionak, V. - Burenkov, A. - Strenger, C. - Ortiz, G. - Bedel-Pereira, E. - Mortet, Vincent - Cristiano, F. - Bauer, A.J. - Pichler, P.
Comprehensive study of the electron scattering mechanisms in 4H-SiC MOSFETs.
IEEE Transactions on Electron Devices. Roč. 62, č. 8 (2015), s. 2562-2570. ISSN 0018-9383. E-ISSN 1557-9646
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electron mobility * Hall effect * scattering mechanisms * SiC MOSFET
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.207, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0257305 - 5.0438857 - FZÚ 2015 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Ižák, Tibor - Babchenko, Oleg - Jirásek, Vít - Vanko, G. - Vallo, M. - Vojs, M. - Kromka, Alexander
Selective area deposition of diamond films on AlGaN/GaN heterostructures.
Physica Status Solidi B. Roč. 250, č. 12 (2014), 2574-2580. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-16549P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: circular high electron mobility transistors * diamond films * GaN substrates * microwave chemical vapor deposition * selective area deposition
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.469, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242206 - 6.0424328 - FZÚ 2014 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vanko, G. - Lalinský, T. - Ižák, Tibor - Vojs, M. - Vincze, A. - Dobročka, E. - Vallo, M. - Dzuba, J. - Rýger, I. - Kromka, Alexander
AlGaN/GaN high electron mobility transistors for high temperatures.
Perspektívne vákuové metódy a technológie (Perspective vacuum methods and technologies). Bratislava: Slovenská vákuová spoločnosť, 2013 - (Vojs, M.; Veselý, M.; Vincze, A.), s. 55-59. ISBN 978-80-971179-2-4.
[School of Vacuum Technology /16./ (Perspektívne vákuové metódy a technológie. Perspective vacuum methods and technologies). Štrbské Pleso (SK), 10.10.2013-13.10.2013]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electron mobility * crystalline diamond substrates * GaN
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230412 - 7.0303417 - URE-Y 990061 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
Electro-optical properties of InP epitaxial layers grown with rare-earth admixture.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 765-774. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: photoluminescence * impurity states * electron mobility * rare earth compounds
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003138 - 8.0303315 - URE-Y 980077 CZ eng A - Abstrakt
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
Electro-optical properties of InP and GaInAsP epitaxial layers grown with rare-earth admixture.
Prague: IREE AS CR, 1998. ISBN 80-86269-019. AMFO'98. - (Procházková, O.). s. 5
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. 15.06.1998-17.06.1998, Prague]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Klíčová slova: photoluminescence * impurity states * electron mobility * rare earth compounds
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113561