Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
    Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
    ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342845
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0572001.pdf04.8 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  2. 2.
    0500632 - FZÚ 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Morales-Masis, M. - Rucavado, E. - Monnard, R. - Barraud, L. - Holovský, Jakub - Despeisse, M. - Boccard, M. - Ballif, C.
    Highly conductive and broadband transparent Zr-doped In2O3 as front electrode for solar cells.
    IEEE Journal of Photovoltaics. Roč. 8, č. 5 (2018), s. 1202-1207. ISSN 2156-3381. E-ISSN 2156-3403
    Grant CEP: GA ČR GA18-24268S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: electron mobility * heterojunctions * solar cells * silicon * transparent electrodes * wide band gap semiconductors * zirconium-doped indium oxide (IO:Zr)
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.398, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292711
     
     
  3. 3.
    0499566 - FZÚ 2019 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Babchenko, O. - Vanko, G. - Gerboc, M. - Ižák, Tibor - Vojs, M. - Lalinský, T. - Kromka, Alexander
    Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 degrees C.
    Diamond and Related Materials. Roč. 89, Oct (2018), s. 266-272. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: AlGaN/GaN heterostructure * diamond film * high electron mobility transistor * hybrid device * high temperature operation * electronic properties
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Impakt faktor: 2.290, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0291761
     
     
  4. 4.
    0456839 - FZÚ 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Uhnevionak, V. - Burenkov, A. - Strenger, C. - Ortiz, G. - Bedel-Pereira, E. - Mortet, Vincent - Cristiano, F. - Bauer, A.J. - Pichler, P.
    Comprehensive study of the electron scattering mechanisms in 4H-SiC MOSFETs.
    IEEE Transactions on Electron Devices. Roč. 62, č. 8 (2015), s. 2562-2570. ISSN 0018-9383. E-ISSN 1557-9646
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: electron mobility * Hall effect * scattering mechanisms * SiC MOSFET
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.207, rok: 2015
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0257305
     
     
  5. 5.
    0438857 - FZÚ 2015 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Ižák, Tibor - Babchenko, Oleg - Jirásek, Vít - Vanko, G. - Vallo, M. - Vojs, M. - Kromka, Alexander
    Selective area deposition of diamond films on AlGaN/GaN heterostructures.
    Physica Status Solidi B. Roč. 250, č. 12 (2014), 2574-2580. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-16549P
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: circular high electron mobility transistors * diamond films * GaN substrates * microwave chemical vapor deposition * selective area deposition
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.469, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242206
     
     
  6. 6.
    0424328 - FZÚ 2014 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Vanko, G. - Lalinský, T. - Ižák, Tibor - Vojs, M. - Vincze, A. - Dobročka, E. - Vallo, M. - Dzuba, J. - Rýger, I. - Kromka, Alexander
    AlGaN/GaN high electron mobility transistors for high temperatures.
    Perspektívne vákuové metódy a technológie (Perspective vacuum methods and technologies). Bratislava: Slovenská vákuová spoločnosť, 2013 - (Vojs, M.; Veselý, M.; Vincze, A.), s. 55-59. ISBN 978-80-971179-2-4.
    [School of Vacuum Technology /16./ (Perspektívne vákuové metódy a technológie. Perspective vacuum methods and technologies). Štrbské Pleso (SK), 10.10.2013-13.10.2013]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: electron mobility * crystalline diamond substrates * GaN
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230412
     
     
  7. 7.
    0303417 - URE-Y 990061 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
    Electro-optical properties of InP epitaxial layers grown with rare-earth admixture.
    Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 765-774. ISSN 0011-4626.
    [Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
    Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
    Klíčová slova: photoluminescence * impurity states * electron mobility * rare earth compounds
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003138
     
     
  8. 8.
    0303315 - URE-Y 980077 CZ eng A - Abstrakt
    Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
    Electro-optical properties of InP and GaInAsP epitaxial layers grown with rare-earth admixture.
    Prague: IREE AS CR, 1998. ISBN 80-86269-019. AMFO'98. - (Procházková, O.). s. 5
    [Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. 15.06.1998-17.06.1998, Prague]
    Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
    Klíčová slova: photoluminescence * impurity states * electron mobility * rare earth compounds
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113561
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.