Výsledky vyhledávání
- 1.0554500 - ÚPT 2022 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Burda, Daniel - Allaham, Mohammad M. - Knápek, Alexandr - Sobola, Dinara - Mousa, M. S. … celkem 7 autorů
Field emission properties of sharp tungsten cathodes coated with a thin resilient oxide barrier.
International Vacuum Nanoelectronics Conference. In: 2021 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC). New York: IEEE, 2021 - (Purcell, S.; Mazellier, J.), (2021), s. 178-179. ISBN 978-1-6654-2589-6. ISSN 2380-6311.
[International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) /34./. online (FR), 05.07.2021-09.07.2021]
Grant CEP: GA MV(CZ) VI20192022147
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: field electron microscopy * electrochemical etching * tungsten single tip field emitter * atomic layer deposition * Al2O3 nanolayer * Murphy-Good plot
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://ieeexplore.ieee.org/document/9600704
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0329215 - 2.0531987 - ÚPT 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Knápek, Alexandr - Dallaev, R. - Burda, Daniel - Sobola, D. - Allaham, M. M. - Horáček, Miroslav - Kašpar, P. - Matějka, Milan - Mousa, M. S.
Field Emission Properties of Polymer Graphite Tips Prepared by Membrane Electrochemical Etching.
Nanomaterials. Roč. 10, č. 7 (2020), č. článku 1294. E-ISSN 2079-4991
Grant CEP: GA MV(CZ) VI20192022147
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: polymer graphite tip * electrochemical etching * field emission microscopy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 5.076, rok: 2020
Způsob publikování: Open access
https://www.mdpi.com/2079-4991/10/7/1294
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0310599 - 3.0517263 - ÚPT 2020 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Knápek, Alexandr - Klein, Pavel - Delong, A.
Zařízení pro opakovatelnou výrobu ostrých hrotů.
[Equipment for repeated production of sharp tips.]
2019. Vlastník: Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení vzoru: 07.10.2019. Číslo vzoru: 33278
Grant CEP: GA TA ČR TG03010046
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: electrochemical etching * sharp tip * anodical dissolution
Obor OECD: Automation and control systems
https://isdv.upv.cz/webapp/!resdb.pta.frm
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0302567 - 4.0511776 - ÚPT 2020 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Knápek, Alexandr - Klein, Pavel - Delong, A.
Aparatura pro opakovatelnou přípravu nanometrických sond.
[Set-up for automated preparation of nanometric probes.]
Interní kód: APL-2019-18 ; 2019
Technické parametry: Materiál 0.35 mm silný polykrystal/monokrystal wolframový drát
Ekonomické parametry: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Alexandr Knápek, Ph.D., knapek@isibrno.cz
Grant CEP: GA TA ČR TG03010046
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: electrochemical etching * nanometric probe * anodic dissolution
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0302021 - 5.0498361 - ÚPT 2019 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Knápek, Alexandr - Sobola, D.
STM sonda z grafitu a metody její přípravy.
[STM probe from graphite material and methods of its preparation.]
Interní kód: APL-2018-10 ; 2018
Technické parametry: Průměr materiálu 0.3 – 0.8 mm, vodivost 3x105 S/m
Ekonomické parametry: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Alexandr Knápek, Ph.D., knapek@isibrno.cz
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1212
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: scanning tunneling microscopy * holder for electrochemical etching * conductive probe
Obor OECD: Nano-processes (applications on nano-scale)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0290753 - 6.0477724 - ÚPT 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Knápek, Alexandr - Sýkora, Jiří - Chlumská, Jana - Sobola, D.
Programmable set-up for electrochemical preparation of STM tips and ultra-sharp field emission cathodes.
Microelectronic Engineering. Roč. 173, APR 5 (2017), s. 42-47. ISSN 0167-9317. E-ISSN 1873-5568
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1212
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: field emission cathode * STM tip * electrochemical etching
Obor OECD: Chemical process engineering
Impakt faktor: 2.020, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0273973 - 7.0470789 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cibulka, Ondřej - Vorkotter, C. - Purkrt, Adam - Holovský, Jakub - Benedikt, J. - Herynková, Kateřina
Comparison of silicon nanocrystals prepared by two fundamentally different methods.
Nanoscale Research Letters. Roč. 11, Oct (2016), s. 1-7, č. článku 445. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X
Grant ostatní: AV ČR(CZ) DAAD-16-18
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanocrystals * electrochemical etching * low-pressure plasma * photoluminescence * size distribution * surface passivation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.833, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268345 - 8.0396713 - ÚFE 2014 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Piksová, K.
Epitaxial growth on porous GaAs substrates.
Comptes Rendus Chimie. Roč. 16, č. 1 (2013), s. 59-64. ISSN 1631-0748. E-ISSN 1878-1543
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: Electrochemical etching * Porous semiconductors * Epitaxial growth * GaAs
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery; JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika (FZU-D)
Impakt faktor: 1.483, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224448 - 9.0387722 - ÚFE 2013 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hamplová, Marie
LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES.
NANOCON 2012, 4th International Conference Proceedings. Ostrava: TANGER Ltd, 2012. ISBN 978-80-87294-32-1.
[NANOCON 2012. International Conference /4./. Brno (CZ), 23.10.2012-25.10.2012]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Porous III-V semiconductors * Electrochemical etching * Pores conversion
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216684 - 10.0374726 - ÚFE 2012 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
III-V semiconductors grown on porous substrates.
EWMOVPE XIV-European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Wroclaw: Technická univerzita, 2011 - (Pražmowska, J.), s. 71-74. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: porous semiconductors * heterotransitions * electrochemical etching of metals
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006909