Výsledky vyhledávání
- 1.0567278 - FZÚ 2023 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Buryi, Maksym - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Kuldová, Karla - Vaněk, Tomáš
Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells.
Journal of Physics: Conference Series. Vol. 2413. Bristol: IOP Publishing, 2022, č. článku 012001. ISSN 1742-6588.
[DMSRE seminar: Development of Materials Science in Research and Education (DMSRE) /31./. Nová Lesná (SK), 05.09.2022-09.09.2022]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN multiple quantum wells * Si doping * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0338546 - 2.0561462 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Buryi, Maksym - Babin, Vladimir - Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hájek, František - Kuldová, Karla - Artemenko, Anna - Hospodková, Alice
The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study.
Radiation Measurements. Roč. 157, Sep (2022), č. článku 106842. ISSN 1350-4487. E-ISSN 1879-0925
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * thin films * Si doping * luminescence * EPR
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2022.106842
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334173 - 3.0133764 - FZU-D 20020145 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Srnanek, R. - Gurnik, P. - Harmatha, L. - Gregora, Ivan
Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures.
Applied Surface Science. Roč. 183, - (2002), s. 86-92. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant ostatní: VEGA(SK) 1/7600/20; VEGA(SK) 1/6098/99; VEGA(SK) 1/7613/20
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: delta-doped layers * micro-Raman * GaAs * Si-doping
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.295, rok: 2002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000631