Výsledky vyhledávání
- 1.0511234 - FZÚ 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Pham, T.T. - Le, V.T.H. - Cu, S.T. - Stuchlík, Jiří
Synthesis of Si-NWs by PECVD using Sn as catalyst on TCO thin film for optoelectronic devicies.
Advances in Natural Sciences-Nanoscience and Nanotechnology. Roč. 5, č. 4 (2014), s. 1-8, č. článku 045011. ISSN 2043-6254
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) 7AMB14ATE004; GA MŠMT(CZ) LD14011; GA MŠMT LH12236
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101216
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electrical-properties * growth * silicon nanowires (Si-NWs) * PECVD * ZnO * VLS process * Sn nanoparticles
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0301556Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0511234.pdf 0 2.3 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0432079 - FZÚ 2015 CZ eng D - Dizertace
Hývl, Matěj
Study of silicon nanostructures by microscopic methods.
České vysoké učení technické v Praze, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská. - Praha: ČVUT, 2014. 72 s.
Grant CEP: GA MPO FR-TI2/736; GA ČR GA13-12386S; GA MŠMT(CZ) LM2011026; GA ČR GB14-37427G
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101216
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanostructures * AFM * Raman intensity mapping * nanoindentation * radial junctions * Si NWs * LPC polycrystalline silicon thin films
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0236555 - 3.0425863 - FZÚ 2014 VN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pham, T.T. - Le, V.T.H. - Cu, T.S. - Stuchlíková, The-Ha - Hruška, Karel - Ledinský, Martin - Stuchlík, Jiří
Growth of silicon nanowires on ZnO thin film stimulated by VLS and PECVD processes for photovoltaic applications.
Proceedings of IWNA 2013, 4th International Workshop on Nanotechnology and Application. Ho Chi Minh City: Laboratory for Nanotechnology, VNU, 2013, s. 411-414.
[IWNA 2013 - 4th International Workshop on Nanotechnology and Application. Vung Tau (VN), 14.11.2013-16.11.2013]
Grant CEP: GA MŠMT LH12236
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanowires (Si-NWs) * PECVD * ZnO * VLS process * Sn
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231652 - 4.0425203 - FZÚ 2014 CZ eng A - Abstrakt
Pham, T.T. - Stuchlík, Jiří - Stuchlíková, The-Ha - Hruška, Karel - Ledinský, Martin
Deposition of Si:H thin films on transparent and conductive ZnOat boundary parameters of PECVD if Sn as catalyst element is used.
Sborník 8. české fotovoltaické konference. Rožnov pod Radhoštěm: Czech RE Agency, o.p.s, 2013.
[Česká fotovoltaická konference /8./. 14.05.2013-15.05.2013, Brno]
Grant CEP: GA ČR GA203/09/1088; GA MŠMT LH12236
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon nanowires (Si-NWs) * PECVD * ZnO * catalytic process * Sn
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231111 - 5.0424992 - FZÚ 2014 AU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pham, T.T. - Stuchlíková, The-Ha - Ledinský, Martin - Hruška, Karel - Le, V.T.H. - Stuchlík, Jiří
Deposition of Si:H thin films on transparent and conductive ZnOat boundary parameters of PECVD if Sn as catalyst element is used.
ISPC - Proceedings International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 21). Cairn: IPCS International Plasma Chemistry Society, 2013. IPSC, 21. ISBN N.
[International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 21)/21./. Cairns Convention Centre (AU), 04.08.2013-09.08.2013]
Grant CEP: GA ČR GA203/09/1088; GA MŠMT LH12236
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101216; AVČR(CZ) M100101217
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Si:H thin film * ZnO * PECVD * catalytic effect * Si-NWs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://www.ispc-conference.org/ispcproc/ispc21/ID396.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230960