Výsledky vyhledávání
- 1.0583098 - ÚFP 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Tolias, P. - Komm, Michael - Ratynskaia, S. - Podolník, Aleš
ITER relevant multi-emissive sheaths at normal magnetic field inclination.
Nuclear Fusion. Roč. 63, č. 2 (2023), č. článku 026007. ISSN 0029-5515. E-ISSN 1741-4326
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_013/0001551
GRANT EU: European Commission(BE) 101052200
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: emissive sheath * escaping current density * macroscopic melt motion * Schottky effect * secondary electron emission * thermionic emission
Obor OECD: Fluids and plasma physics (including surface physics)
Impakt faktor: 3.3, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1741-4326/acaabd
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0351096
Vědecká data: Zenodo - 2.0536450 - ÚFP 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Tolias, P. - Komm, Michael - Ratynskaia, S. - Podolník, Aleš
Origin and nature of the emissive sheath surrounding hot tungsten tokamak surfaces.
Nuclear Materials and Energy. Roč. 25, December (2020), č. článku 100818. E-ISSN 2352-1791
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_013/0001551
GRANT EU: European Commission(XE) 633053 - EUROfusion
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: Melt motion * Schottky effect * Secondary electron emission * Thermionic emission * Tungsten * Virtual cathode
Obor OECD: Fluids and plasma physics (including surface physics)
Impakt faktor: 2.320, rok: 2020
Způsob publikování: Open access
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2352179120300922?via%3Dihub
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314225 - 3.0323030 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
[Studium Šottkyho diod na InP dopovaném Mn.]
Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 19, č. 1 (2008), S333-S337. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: Schottky effect * semiconductors * deep levels
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.054, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0171112 - 4.0303661 - URE-Y 20000068 CZ cze A - Abstrakt
Vaniš, Jan - Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Karamazov, S. - Lošťák, P. - Cukr, Miroslav - Zich, P. - Horák, Jaromír - Czajka, R. - Chow, D.H. - McGill, T. C.
Výsledky studie polovodičů a polovodičových struktur pomocí BEEM/BEES, STM a AFM.
[Study of semiconductors a semiconductor heterostructures by BEEM/BEES, STM and AFM.]
Praha: Jednota československých matematiků a fyziků, 2000. ISBN 80-7015-720-8. Sborník příspěvků ze semináře OS Polovodiče FVS JČMF. - (Hulicius, E.; Humlíček, J.; Velický, B.). s. 33
[Liblice 2000. 31.01.2000-02.02.2000, Liblice]
Grant CEP: GA ČR GA102/97/0427
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: nanostructured materials * semiconductor materials * thermoelectric devices * Schottky effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113849 - 5.0303182 - URE-Y 980116 RIV PL eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila
Some applications of ballistic electron emission microscopy/spectroscopy.
Acta Physica Polonica A. Roč. 93, č. 2 (1998), s. 365-372. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X.
[Scanning Probe Spectroscopy and Related Methods - SPS'97 /1./. Poznan, 15.07.1997-18.07.1997]
Grant CEP: GA ČR GA102/97/0427
Klíčová slova: field emission electron microscopes * nanostructured materials * Schottky effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.344, rok: 1998
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113428 - 6.0303050 - URE-Y 970054 PL eng A - Abstrakt
Walachová, Jarmila
Some applications of ballistic electron emission microscopy spectroscopy.
Poznan: University of Technology, 1997. Programme and Abstracts of the First International Symposium on Scanning Probe Spectroscopy and Related Methods. s. I-14
[Scanning Probe Spectroscopy and Related Methods - SPS'97 /1./. 15.07.1997-18.07.1997, Poznan]
Grant CEP: GA ČR 102/97/0427
Klíčová slova: field emission electron microscopes * nanostructured materials * Schottky effect
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113338 - 7.0302262 - URE-Y 920022 US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila
Improvement of the probe profiling method for InP/GaInAsP structures using Kr+ ions bombardment.
Applied Physics Letters. Roč. 60, č. 23 (1992), s. 2920-2922. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0130
Klíčová slova: semiconductor quantum wells * semiconductor lasers * Schottky effect
Impakt faktor: 3.537, rok: 1992
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112728 - 8.0088293 - ÚFE 2008 DE eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
[Výzkum Schottkyho diod připravených na Mn dopovaném InP typu p.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 133--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Schottky effect * semiconductors * deep levels
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149870