Výsledky vyhledávání
- 1.0502820 - FZÚ 2019 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Jarý, Vítězslav - Dominec, Filip - Slavická Zíková, Markéta - Hájek, František - Hulicius, Eduard - Vetushka, Aliaksi - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Nikl, Martin
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs.
CrystEngComm. Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362. ISSN 1466-8033
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA16-11769S; GA MŠMT(CZ) LO1603
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN * MOVPE * QW number
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.117, rok: 2019
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0294704Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0502820.pdf 4 1.7 MB Autorský postprint povolen - 2.0496211 - FZÚ 2019 RIV PL eng A - Abstrakt
Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice
Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth.
Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018. s. 153-153.
[International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. 05.08.2018-10.08.2018, Warsaw]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * QW * Buffer layer
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289034 - 3.0496190 - FZÚ 2019 RIV PL eng A - Abstrakt
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Influence of Different InGaN/(In)GaN Growth Modes on Indium Incorporation and Quality of Layers.
Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018. s. 155-155.
[International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. 05.08.2018-10.08.2018, Warsaw]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN * QW capping * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289016 - 4.0496184 - FZÚ 2019 RIV PL eng A - Abstrakt
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Zíková, Markéta - Vetushka, Aliaksi
Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number.
Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018. s. 151-151.
[International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. 05.08.2018-10.08.2018, Warsaw]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * QW number
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289013 - 5.0479789 - FZÚ 2018 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Berezovets, V.A. - Parfeniev, R.V. - Danilov, L.V. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
Vertical transport in type-II Heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field.
Semiconductors. Roč. 51, č. 10 (2017), s. 1343-1349. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaSb * composite QW * magnetic properties
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 0.672, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275726 - 6.0464452 - FZÚ 2017 RIV ZA eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Kalinina, K.V. - Yakovlev, Y. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta
LED-like structures with high temperature superlinear luminescence.
SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./.Abstracts. Skukuza: SPIE, 2016 - (Schutte, C.). s. 61-61
[SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./. 12.09.2016-14.09.2016, Skukuza]
Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603; GA ČR(CZ) GP14-21285P
Grant ostatní: COST(XE) MP1204
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAsSb QW * GaSb * superlinear luminescence * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263310 - 7.0456714 - FZÚ 2016 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mikhailova, M. - Ivanov, E. - Danilov, L. - Petukhov, A. - Kalinina, K. - Stoyanov, N. - Yakovlev, Y. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
Superlinearity and temperature dependence of electroluminescence in heterostructures with deep AlSb/InAs1-xSbx/AlSb quantum well.
Photonics, Devices, and System VI. Bellingham: SPIE, 2015 - (Tománek, P.; Senderáková, D.; Páta, P.), "94500J-1"-"94500J-10". Proceedings of SPIE, 9450. ISBN 978-1-62841-566-7. ISSN 0277-786X.
[International Conference on Photonics, Devices, and System VI /8./. Praha (CZ), 27.08.2014-29.08.2014]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: deep QW * InAsSb * superlinear photoluminescence * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0257201 - 8.0455391 - FZÚ 2016 RIV RU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Danilov, L.V. - Petukhov, A.A. - Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Kalinina, K.V. - Zegrya, G.G. - Stoyanov, N. D. - Yakovlev, Yu. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
High-temperature superlinear luminescence in GaSb based nanostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells grown by MOVPE.
Nanostructures: Physics and Technology. Proceedings. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2015 - (Savostyanova, E.), s. 77-78. ISBN 978-5-7422-4876-7.
[Nanostructures: Physics and Technology. Saint Petersburg (RU), 22.06.2015-26.06.2015]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaSb * superlinear electroluminescence * deep QW
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0256020 - 9.0434791 - FZÚ 2015 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Petukhov, A.A. - Kalinina, K.V. - Slobozhanyuk, S.I. - Zegrya, G.G. - Stojanov, N.D. - Yakovlev, Yu. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta
Nanostructure based on the AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum wells used for the two-band superlinear luminescence.
NANOCON 2014 Conference Proceedings. Ostrava: Tanger, 2014. ISBN 978-80-87294-55-0.
[International Conference NANOCON /6./. 05.11.2014-07.11.2014, Brno]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: deep QW * AlSb/InAsSb/AlSb * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238775 - 10.0433948 - FZÚ 2015 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice
Radioluminescence and photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum well nanoheterostructure.
Conference of Czech and Slovak Physicists /18./. Olomouc: Palacký University, 2014 - (Valkárová, A.). s. 34-34
[Conference of Czech and Slovak Physicists /18./. 16.09.2014-19.09.2014, Olomouc]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA TA ČR TA01011017; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * XRD * QW
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238111