Výsledky vyhledávání
- 1.0387843 - ÚFE 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Nonlinear properties of the dipole layer in MOS-based hydrogen detectors.
Physica status solidi C. Roč. 9, č. 7 (2012), s. 1687-1689. E-ISSN 1610-1642
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Chemical sensors * Interface phenomena * Semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220340 - 2.0387416 - ÚFE 2013 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Negative feedback phenomena in InP-based hydrogen detectors.
Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications. Roč. 6, 11-12 (2012), s. 1089-1091. ISSN 1842-6573. E-ISSN 2065-3824
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Chemical sensors * Interface phenomena * Semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.402, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219915 - 3.0356263 - ÚFE 2012 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures.
Conference Proceedings ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 275-278. ISBN 978-1-4244-8574-1.
[ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Chemical sensors * Interface phenomena * Semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194831 - 4.0328713 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Karakalos, S. - Siokou, A. - Dracopoulos, V. - Šutara, F. - Skála, T. - Škoda, M. - Ladas, S. - Prince, K. - Matolín, V. - Cháb, Vladimír
The interfacial properties of MgCl2 thin films grown on Si(111)7x7.
[Povrchové vlastnosti tenkých vrstev MgCl2 na rozhraní s Si(111)7x7.]
Journal of Chemical Physics. Roč. 128, č. 10 (2008), 104705/1-104705/7. ISSN 0021-9606. E-ISSN 1089-7690
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: annealing * desorption * interface phenomena * low energy electron diffraction * magnesium compounds * photoelectron spectra * silicon
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.149, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0174959 - 5.0303287 - URE-Y 980152 RIV SK eng J - Článek v odborném periodiku
Malina, Václav - Moro, L. - Pécz, B.
Technological aspects of non-alloyed Ti/Au contacts to InP.
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. Roč. 49, 7-8 (1998), s. 194-199. ISSN 1335-3632. E-ISSN 1339-309X
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4072; GA ČR GA102/94/1059
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductors * interface phenomena
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113533 - 6.0303199 - URE-Y 980009 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Malina, Václav - Žďánský, Karel - Vogel, K. - Ressel, P. - Pécz, B.
Ti/Pt/Au and WSiN/Ti/Pt/Au Schottky contacts to n-type InGaP epitaxial layers.
Dordrecht: Kluwer, 1998. NATO Science Series 3., 48. ISBN 0-7923-5013-8. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. - (Kordoš, P.; Novák, J.), s. 293-296
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./. Smolenice (SK), 12.10.1997-16.10.1997]
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductors * interface phenomena
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113445 - 7.0303032 - URE-Y 970038 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Malina, Václav - Vogel, K. - Ressel, P. - Barnard, W. O. - Knauer, A.
Comparison of Ti/Pt/Au and Ti/Ru/Au contact systems to p-type InGaP.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 12, č. 10 (1997), s. 1298-1303. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR GA102/94/1059
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductors * interface phenomena
Impakt faktor: 1.141, rok: 1997
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113320 - 8.0303017 - URE-Y 970028 SK eng A - Abstrakt
Malina, Václav
Ti/Pt/Au and WSiN/Ti/Pt/Au Schottky contacts to n-type InGaP epitaxial layers.
[Bratislava]: [Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences], 1997. HEAD'97. s. -
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./. 12.10.1997-16.10.1997, Smolenice]
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductors * interface phenomena
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113305