Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0580343 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Haxell, D.Z. - Coraiola, M. - Sabonis, D. - Hinderling, M. - ten Kate, S.C. - Cheah, E. - Křížek, Filip - Schott, R. - Wegscheider, W. - Nichele, F.
    Zeeman-and orbital-driven phase shifts in planar Josephson junctions.
    ACS Nano. Roč. 17, č. 18 (2023), s. 18139-18147. ISSN 1936-0851. E-ISSN 1936-086X
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: super-semi hybrid 2DEG * shallow InAs * phase shift in Josephson Junctions * Andreev bound states
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 17.1, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349114
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0580343.pdf02.2 MBCC licenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  2. 2.
    0580341 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Coraiola, M. - Haxell, D.Z. - Sabonis, D. - Weisbrich, H. - Svetogorov, A.E. - Hinderling, M. - ten Kate, S.C. - Cheah, E. - Křížek, Filip - Schott, R. - Wegscheider, W. - Cuevas, J.C. - Belzig, W. - Nichele, F.
    Phase-engineering the Andreev band structure of a three-terminal Josephson junction.
    Nature Communications. Roč. 14, č. 1 (2023), č. článku 6784. E-ISSN 2041-1723
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs shallow quantum well * Andreev band structure * multi-terminal Josephson junctions * phase-engineering
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 16.6, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349112
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0580341.pdf06 MBCC licenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  3. 3.
    0575228 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Cheah, E. - Haxell, D.Z. - Schott, R. - Zeng, P. - Paysen, E. - ten Kate, S.C. - Coraiola, M. - Landstetter, M. - Zadeh, A.B. - Trampert, A. - Sousa, M. - Riel, H. - Nichele, F. - Wegscheider, W. - Křížek, Filip
    Control over epitaxy and the role of the InAs/Al interface in hybrid two-dimensional electron gas systems.
    Physical Review Materials. Roč. 7, č. 7 (2023), č. článku 073403. ISSN 2475-9953. E-ISSN 2475-9953
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GM22-22000M
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs shallow quantum well * superconductor semiconductor interface * epitaxial Al * hybrid 2DEG
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0348792
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0575228.pdf016.4 MBCC licenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  4. 4.
    0533536 - FZÚ 2021 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Carrad, D.J. - Bjergfelt, M. - Kanne, T. - Aagesen, M. - Křížek, Filip - Fiordaliso, E.M. - Johnson, E. - Nygard, J. - Jespersen, T.S.
    Shadow epitaxy for in situ growth of generic semiconductor/superconductor hybrids.
    Advanced Materials. Roč. 32, č. 23 (2020), s. 1-9, č. článku 1908411. ISSN 0935-9648. E-ISSN 1521-4095
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nanoscale * epitaxial indium arsenide/aluminum heterostructures * InAs/Al hybrids
    Obor OECD: Nano-materials (production and properties)
    Impakt faktor: 30.849, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1002/adma.201908411
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311908
     
     
  5. 5.
    0520899 - FZÚ 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Nevinskas, I. - Kadlec, Filip - Kadlec, Christelle - Butkute, R. - Krotkus, A.
    Terahertz pulse emission from epitaxial n-InAs in a magnetic field.
    Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 52, č. 36 (2019), s. 1-5, č. článku 365301. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    GRANT EU: European Commission(XE) 607521 - NOTEDEV
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: terahertz emission * magnetic field * InAs
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.169, rok: 2019
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab28e7
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305573
     
     
  6. 6.
    0520192 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
    Hospodková, Alice - Zíková, Markéta
    Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení.
    [Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices.]
    2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 25.07.2019. Číslo patentu: 307941
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAsSb
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304875
     
     
  7. 7.
    0486908 - FZÚ 2018 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Danilov, L.V.
    InAs/GaSb/AlSb quantum well structure preparation and electron spin resonance measurements.
    19th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2017, s. 31-32. ISBN 978-80-89855-04-9.
    [Conference of Czech and Slovak Physicists /19./. Prešov (SK), 04.09.2017-07.09.2017]
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaSb InAs CQW * AlSb * MOVPE * electron spin resonance
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0281619
     
     
  8. 8.
    0484348 - FZÚ 2018 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto
    GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD.
    Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8, č. článku 025502. E-ISSN 2053-1591
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 1.151, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279501
     
     
  9. 9.
    0479789 - FZÚ 2018 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikhailova, M. P. - Berezovets, V.A. - Parfeniev, R.V. - Danilov, L.V. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
    Vertical transport in type-II Heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field.
    Semiconductors. Roč. 51, č. 10 (2017), s. 1343-1349. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs * GaSb * composite QW * magnetic properties
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 0.672, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275726
     
     
  10. 10.
    0474050 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Petříček, Otto - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
    GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 64-68. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271148
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.