Výsledky vyhledávání
- 1.0580343 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Haxell, D.Z. - Coraiola, M. - Sabonis, D. - Hinderling, M. - ten Kate, S.C. - Cheah, E. - Křížek, Filip - Schott, R. - Wegscheider, W. - Nichele, F.
Zeeman-and orbital-driven phase shifts in planar Josephson junctions.
ACS Nano. Roč. 17, č. 18 (2023), s. 18139-18147. ISSN 1936-0851. E-ISSN 1936-086X
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: super-semi hybrid 2DEG * shallow InAs * phase shift in Josephson Junctions * Andreev bound states
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 17.1, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349114Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0580343.pdf 0 2.2 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0580341 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Coraiola, M. - Haxell, D.Z. - Sabonis, D. - Weisbrich, H. - Svetogorov, A.E. - Hinderling, M. - ten Kate, S.C. - Cheah, E. - Křížek, Filip - Schott, R. - Wegscheider, W. - Cuevas, J.C. - Belzig, W. - Nichele, F.
Phase-engineering the Andreev band structure of a three-terminal Josephson junction.
Nature Communications. Roč. 14, č. 1 (2023), č. článku 6784. E-ISSN 2041-1723
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs shallow quantum well * Andreev band structure * multi-terminal Josephson junctions * phase-engineering
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 16.6, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349112Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0580341.pdf 0 6 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 3.0575228 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cheah, E. - Haxell, D.Z. - Schott, R. - Zeng, P. - Paysen, E. - ten Kate, S.C. - Coraiola, M. - Landstetter, M. - Zadeh, A.B. - Trampert, A. - Sousa, M. - Riel, H. - Nichele, F. - Wegscheider, W. - Křížek, Filip
Control over epitaxy and the role of the InAs/Al interface in hybrid two-dimensional electron gas systems.
Physical Review Materials. Roč. 7, č. 7 (2023), č. článku 073403. ISSN 2475-9953. E-ISSN 2475-9953
Grant CEP: GA ČR(CZ) GM22-22000M
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs shallow quantum well * superconductor semiconductor interface * epitaxial Al * hybrid 2DEG
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0348792Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0575228.pdf 0 16.4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 4.0533536 - FZÚ 2021 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Carrad, D.J. - Bjergfelt, M. - Kanne, T. - Aagesen, M. - Křížek, Filip - Fiordaliso, E.M. - Johnson, E. - Nygard, J. - Jespersen, T.S.
Shadow epitaxy for in situ growth of generic semiconductor/superconductor hybrids.
Advanced Materials. Roč. 32, č. 23 (2020), s. 1-9, č. článku 1908411. ISSN 0935-9648. E-ISSN 1521-4095
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanoscale * epitaxial indium arsenide/aluminum heterostructures * InAs/Al hybrids
Obor OECD: Nano-materials (production and properties)
Impakt faktor: 30.849, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/adma.201908411
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311908 - 5.0520899 - FZÚ 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Nevinskas, I. - Kadlec, Filip - Kadlec, Christelle - Butkute, R. - Krotkus, A.
Terahertz pulse emission from epitaxial n-InAs in a magnetic field.
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 52, č. 36 (2019), s. 1-5, č. článku 365301. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
GRANT EU: European Commission(XE) 607521 - NOTEDEV
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: terahertz emission * magnetic field * InAs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.169, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab28e7
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305573 - 6.0520192 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta
Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení.
[Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 25.07.2019. Číslo patentu: 307941
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAsSb
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304875 - 7.0486908 - FZÚ 2018 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Danilov, L.V.
InAs/GaSb/AlSb quantum well structure preparation and electron spin resonance measurements.
19th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2017, s. 31-32. ISBN 978-80-89855-04-9.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /19./. Prešov (SK), 04.09.2017-07.09.2017]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaSb InAs CQW * AlSb * MOVPE * electron spin resonance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0281619 - 8.0484348 - FZÚ 2018 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD.
Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8, č. článku 025502. E-ISSN 2053-1591
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.151, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279501 - 9.0479789 - FZÚ 2018 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Berezovets, V.A. - Parfeniev, R.V. - Danilov, L.V. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
Vertical transport in type-II Heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field.
Semiconductors. Roč. 51, č. 10 (2017), s. 1343-1349. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaSb * composite QW * magnetic properties
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 0.672, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275726 - 10.0474050 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Petříček, Otto - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 64-68. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271148