Výsledky vyhledávání
- 1.0469569 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers.
ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 57-60. ISBN 978-150903083-5.
[International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
Grant CEP: GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * MOVPE * strain reducing layer * long emission wavelength * telecom lasers
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267401 - 2.0463433 - FZÚ 2017 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
The metalorganic vapour phase epitaxy growth of AIIIBV heterostructures observed by reflection anisotropy spectroscopy.
Acta Physica Polonica A, vol. 129, č. 1A. Warsaw: Polish Academy of Sciences, 2016, A75-A78. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X.
[aszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors (IS and CPS) /44./. Wisla (PL), 20.06.2015-25.06.2015]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * cubic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262636 - 3.0458379 - FZÚ 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures.
Physica B-Condensed Matter. Roč. 480, Jan (2016), 14-22. ISSN 0921-4526. E-ISSN 1873-2135
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE * luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.405, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258645 - 4.0450021 - FZÚ 2016 ZA eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Preparation and measurements of MOVPE multiple InAs/GaAs/GaAsSb quantum dot structures for the telecom wavelength region emitted from 1.3 to 1.8 μm.
South African Conference on Photonic Materials /6./. Pretoria: SAIP, 2015 - (Botha, R.). s. 18-18
[South African Conference on Photonic Materials /6./. 04.05.2015-08.05.2015, Mabula Game Lodge]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251402 - 5.0447828 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), s. 156-160. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs/GaAs MQD * GaAsSb SRL * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249602 - 6.0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601 - 7.0433688 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * reflectance anisotropy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237854 - 8.0433687 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Otto - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 7-7
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * solar cells
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237896 - 9.0423841 - FZÚ 2014 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Kubištová, Jana - Zíková, Markéta - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Petříček, Otto - Oswald, Jiří
Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field.
Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 - (Aubrecht, J.; Kalvoda, L.; Kučeráková, M.; Štěpánková, A.), s. 40-45. ISBN 978-80-01-05344-7.
[Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Krkonoše (CZ), 28.06.2013-02.07.2013]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * InAs/GaAs * GaAsSb * luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0229898 - 10.0398725 - FZÚ 2014 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Gladkov, Petar - Karakostas, Th. - Pangrác, Jiří
Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.
NANOCON 2013. 5th International Conference Proceedings. Ostrava: TANGER Ltd, 2013. s. 75-75. ISBN 978-80-87294-44-4.
[NANOCON 2013. International Conference /5./. 16.10.2013-18.10.2013, Brno]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT 7AMB12GR034; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: InAs/GaAs heterostructures * MOVPE * structural properties * TEM characterization * PL characterization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0226162