Výsledky vyhledávání
- 1.0570943 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jovanović, Z. - Trstenjak, U. - Ho, H.C. - Butsyk, Olena - Chen, B. - Tchernychova, E. - Borodavka, Fedir - Koster, G. - Hlinka, Jiří - Spreitzer, M.
Tiling the silicon for added functionality: PLD growth of highly crystalline STO and PZT on graphene oxide-buffered silicon surface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 4 (2023), s. 6058-6068. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF21-20110K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: PLD deposition * rGO buffer layer * epitaxy * STO pseudo-substrate * added functionality * PZT
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342281Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0570943.pdf 0 7.9 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0559149 - ÚMCH 2023 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Bishnoi, S. - Datt, R. - Arya, S. - Gupta, Sonal - Gupta, R. - Tsoi, W. C. - Sharma, S. N. - Patole, S. P. - Gupta, V.
Engineered cathode buffer layers for highly efficient organic solar cells: a review.
Advanced Materials Interfaces. Roč. 9, č. 19 (2022), č. článku 2101693. ISSN 2196-7350. E-ISSN 2196-7350
Institucionální podpora: RVO:61389013
Klíčová slova: cathode buffer layer * electron transport layer * interfacial layer
Obor OECD: Polymer science
Impakt faktor: 5.4, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.202101693
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333074 - 3.0505794 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Vetushka, Aliaksi - Hulicius, Eduard
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties.
Journal of Crystal Growth. Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN quantum wells * GaN buffer layer * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.632, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0297183Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0505794.pdf 5 1.1 MB Autorský postprint povolen - 4.0501495 - FZÚ 2019 JP eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Dominec, Filip - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vetushka, Aliaksi - Hulicius, Eduard
Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature.
ICMOVPE XIX - Technical Digest. Nara: Japanese Association for Crystal Growth, 2018 - (Miyake, H.). s. 147-147
[19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - ICMOVPE XIX. 03.06.2018-08.06.2018, Nara]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN buffer layer * scintillators * low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN QWs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0293517 - 5.0496211 - FZÚ 2019 RIV PL eng A - Abstrakt
Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice
Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth.
Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018. s. 153-153.
[International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. 05.08.2018-10.08.2018, Warsaw]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * QW * Buffer layer
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289034 - 6.0479249 - ÚMCH 2018 RO eng J - Článek v odborném periodiku
Zhang, B. - Prokop, V. - Střižík, L. - Zima, Vítězslav - Kutálek, P. - Vlček, Milan - Wágner, T.
The function of buffer layer in resistive switching device.
Chalcogenide Letters. Roč. 14, č. 8 (2017), s. 291-295. ISSN 1584-8663. E-ISSN 1584-8663
Institucionální podpora: RVO:61389013
Klíčová slova: resistive switching * chalcogenide glasses * buffer layer
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 0.624, rok: 2017
http://www.chalcogen.ro/291_ZhangB.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0277147