Vytisknout
0538001 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Vaniš, Jan - Grym, Jan
Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate.
Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 107, 1 March (2020), č. článku 104808. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Current-voltage characteristics * Focused ion beam patterning * Nanoscale heterojunctions * ZnO nanorods
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 3.927, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104808
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315834
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Vaniš, Jan - Grym, Jan
Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate.
Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 107, 1 March (2020), č. článku 104808. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Current-voltage characteristics * Focused ion beam patterning * Nanoscale heterojunctions * ZnO nanorods
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 3.927, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104808
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315834