Vytisknout
0532847 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Pangrác, Jiří - Slavická Zíková, Markéta - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Vaněk, Tomáš - Vetushka, Aliaksi - Čížek, J. - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures.
Journal of Crystal Growth. Roč. 536, Apr (2020), s. 1-6, č. článku 125579. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA TA ČR TH02010580; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum wells * defects * impurities * metalorganic vapor phase epitaxy * nitrides
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.797, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125579
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311234
Hospodková, Alice - Hájek, František - Pangrác, Jiří - Slavická Zíková, Markéta - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Vaněk, Tomáš - Vetushka, Aliaksi - Čížek, J. - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures.
Journal of Crystal Growth. Roč. 536, Apr (2020), s. 1-6, č. článku 125579. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA TA ČR TH02010580; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum wells * defects * impurities * metalorganic vapor phase epitaxy * nitrides
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.797, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125579
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311234