Vytisknout
0458365 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cichoň, Stanislav - Macháč, P. - Fekete, Ladislav - Lapčák, L.
Direct microwave annealing of SiC substrate for rapid synthesis of quality epitaxial graphene.
Carbon. Roč. 98, Mar (2016), s. 441-448. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT LO1409; GA MŠMT(CZ) LM2011029
Grant ostatní: FUNBIO(XE) CZ.2.16/3.1.00/21568
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: graphene * SiC * microwave
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 6.337, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258626
Cichoň, Stanislav - Macháč, P. - Fekete, Ladislav - Lapčák, L.
Direct microwave annealing of SiC substrate for rapid synthesis of quality epitaxial graphene.
Carbon. Roč. 98, Mar (2016), s. 441-448. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT LO1409; GA MŠMT(CZ) LM2011029
Grant ostatní: FUNBIO(XE) CZ.2.16/3.1.00/21568
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: graphene * SiC * microwave
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 6.337, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258626