Vytisknout
0508842 - ÚJF 2020 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mikšová, Romana - Horák, Pavel - Holý, V. - Macková, Anna
Study of thermal recrystallisation in Si implanted by 0.4-MeV heavy ions.
Surface and Interface Analysis. Roč. 51, č. 11 (2019), s. 1113-1120. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
Grant CEP: GA ČR GA18-03346S; GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: ion implantation of Si * ion channelling in a crystal material * heavy ions implantation * structural modification of an ion-implanted silicon crystal
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.665, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/sia.6698
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300721
Mikšová, Romana - Horák, Pavel - Holý, V. - Macková, Anna
Study of thermal recrystallisation in Si implanted by 0.4-MeV heavy ions.
Surface and Interface Analysis. Roč. 51, č. 11 (2019), s. 1113-1120. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
Grant CEP: GA ČR GA18-03346S; GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: ion implantation of Si * ion channelling in a crystal material * heavy ions implantation * structural modification of an ion-implanted silicon crystal
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.665, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/sia.6698
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300721