Vytisknout
0509922 - ÚFP 2020 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Medvedev, Nikita - Fang, Z. - Xia, Ch. - Li, Z.
Thermal and nonthermal melting of III-V compound semiconductors.
Physical Review B. Roč. 99, č. 14 (2019), č. článku 144101. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2015083
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: binding molecular-dynamics * electronic-structure * gallium-arsenide * gaas
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.575, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.99.144101
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300512
Medvedev, Nikita - Fang, Z. - Xia, Ch. - Li, Z.
Thermal and nonthermal melting of III-V compound semiconductors.
Physical Review B. Roč. 99, č. 14 (2019), č. článku 144101. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2015083
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: binding molecular-dynamics * electronic-structure * gallium-arsenide * gaas
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.575, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.99.144101
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300512