Vytisknout
0431319 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dimitrakopulos, G.P. - Bazioti, C. - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Komninou, Ph.
Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates.
Applied Surface Science. Roč. 306, Jul (2014), s. 89-93. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: compound semiconductors * InGaAs * porous substrate * misfit dislocations * strain
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0235904
Dimitrakopulos, G.P. - Bazioti, C. - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Komninou, Ph.
Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates.
Applied Surface Science. Roč. 306, Jul (2014), s. 89-93. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: compound semiconductors * InGaAs * porous substrate * misfit dislocations * strain
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0235904