Vytisknout
0308798 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Žďánský, Karel
Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers.
[Vliv Yb a Yb2O3 na vlastnosti InP vrstev.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161159
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Žďánský, Karel
Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers.
[Vliv Yb a Yb2O3 na vlastnosti InP vrstev.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161159