Vytisknout
0602721 - FZÚ 2025 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Navrátil, J. - Caha, O. - Kopeček, Jaromír - Čermák, P. - Prokleška, J. - Holý, V. - Sechovský, V. - Beneš, L. - Carva, K. - Honolka, Jan - Drašar, Č.
Electronic properties of Fe impurities in SnS van der Waals crystals – Revealing high-mobility holes.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 301, March (2024), č. článku 117148. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA ČR GA19-13659S; GA MŠMT LM2023051; GA MŠMT LM2023065; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: p-type SnS * single crystal * semiconductor * doping * electrical properties
Obor OECD: Astronomy (including astrophysics,space science)
Impakt faktor: 3.9, rok: 2023 ; AIS: 0.532, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
Web výsledku:
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148DOI: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0360013
Navrátil, J. - Caha, O. - Kopeček, Jaromír - Čermák, P. - Prokleška, J. - Holý, V. - Sechovský, V. - Beneš, L. - Carva, K. - Honolka, Jan - Drašar, Č.
Electronic properties of Fe impurities in SnS van der Waals crystals – Revealing high-mobility holes.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 301, March (2024), č. článku 117148. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA ČR GA19-13659S; GA MŠMT LM2023051; GA MŠMT LM2023065; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: p-type SnS * single crystal * semiconductor * doping * electrical properties
Obor OECD: Astronomy (including astrophysics,space science)
Impakt faktor: 3.9, rok: 2023 ; AIS: 0.532, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
Web výsledku:
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148DOI: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0360013