Vytisknout
0088292 - ÚFE 2008 DE eng A - Abstrakt
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Characterization of indium phosphide single crystals for X-ray detection.
[Charakterizace monokrystalů fosfidu india pro detekci rtg záření.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 132--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: crystal growth * radiation detection * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149869
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Characterization of indium phosphide single crystals for X-ray detection.
[Charakterizace monokrystalů fosfidu india pro detekci rtg záření.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 132--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: crystal growth * radiation detection * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149869