Vytisknout
0534005 - ÚJF 2021 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Torrisi, Alfio - Horák, Pavel - Vacík, Jiří - Cannavó, Antonino - Ceccio, Giovanni - Vaniš, Jan - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Multilayered Cu-Ti deposition on silicon substrates for chemiresistor applications.
Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements. Roč. 195, č. 11 (2020), s. 932-935. ISSN 1042-6507. E-ISSN 1563-5325
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA19-02804S
Institucionální podpora: RVO:61389005 ; RVO:67985882
Klíčová slova: chemiresistor * Cu-Ti * intermixing layers * SIMS analysis * thermal annealing
Obor OECD: Inorganic and nuclear chemistry; Electrical and electronic engineering (URE-Y)
Impakt faktor: 1.082, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804166
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0312228
Torrisi, Alfio - Horák, Pavel - Vacík, Jiří - Cannavó, Antonino - Ceccio, Giovanni - Vaniš, Jan - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Multilayered Cu-Ti deposition on silicon substrates for chemiresistor applications.
Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements. Roč. 195, č. 11 (2020), s. 932-935. ISSN 1042-6507. E-ISSN 1563-5325
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA19-02804S
Institucionální podpora: RVO:61389005 ; RVO:67985882
Klíčová slova: chemiresistor * Cu-Ti * intermixing layers * SIMS analysis * thermal annealing
Obor OECD: Inorganic and nuclear chemistry; Electrical and electronic engineering (URE-Y)
Impakt faktor: 1.082, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804166
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0312228