Vytisknout
0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601