Vytisknout
0303796 - URE-Y 20010091 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kosíková, Jitka - Leitner, J. - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Jurek, K. - Drbohlav, Ivo - Stejskal, J.
Ga1-xInxSB-MOVPE growth and thermodynamic model.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 16, č. 9 (2001), s. 759-762. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR GA202/98/P254
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor growth * semiconductor materials * thermodynamics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.079, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113980
Kosíková, Jitka - Leitner, J. - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Jurek, K. - Drbohlav, Ivo - Stejskal, J.
Ga1-xInxSB-MOVPE growth and thermodynamic model.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 16, č. 9 (2001), s. 759-762. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR GA202/98/P254
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor growth * semiconductor materials * thermodynamics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.079, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113980