0105854 - URE-Y 20040027 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Gorodynskyy, Vladyslav - Kosíková, Jitka - Rudra, A. - Kapon, E. - Fekete, D.
Deep level transient spectroscopy of Al_xGa 1_-x As/GaAs single-quantum-well lasers.
[Lasery Al _xGa 1_-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 19, č. 7 (2004), s. 897-901. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductor quantum wells * nanostructured materials * deep levels
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 2.152, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013042