Košík

0580611 - ÚFP 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Dinh, TH. - Medvedev, Nikita - Ishino, M. - Kitamura, T. - Hasegawa, N. - Otobe, T. - Higashiguchi, T. - Sakaue, K. - Washio, M. - Hatano, T. - Kon, A. - Kubota, Y. - Inubushi, Y. - Owada, S. - Shibuya, T. - Ziaja, B. - Nishikino, M.
Controlled strong excitation of silicon as a step towards processing materials at sub-nanometer precision.
COMMUNICATIONS PHYSICS. Roč. 2, č. 1 (2019), č. článku 150. ISSN 2399-3650. E-ISSN 2399-3650
Grant CEP: GA MŠMT LTT17015; GA MŠMT(CZ) LM2015083
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: laser-ablation * femtosecond * thresholds * electrons * growth * beam
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 4.684, rok: 2019
Způsob publikování: Open access
https://www.nature.com/articles/s42005-019-0253-2
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349380