Košík

0578172 - ÚFM 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Pongrácz, Jakub - Vacek, P. - Gröger, Roman
Recombination activity of threading dislocations in MOVPE-grown AlN/Si {111} films etched by phosphoric acid.
Journal of Applied Physics. Roč. 134, č. 19 (2023), č. článku 195704. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW01010183; GA MŠMT(CZ) EF18_053/0016933
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: Crystallographic defects * Crystal lattices * Crystal structure * Epitaxy * Etching * Atomic force microscopy
Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
Impakt faktor: 3.2, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://pubs.aip.org/aip/jap/article-abstract/134/19/195704/2921456/Recombination-activity-of-threading-dislocations?redirectedFrom=fulltext
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0347224