Košík

0576333 - ÚFM 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Ji, Y. - Frentrup, M. - Zhang, X. - Pongrácz, Jakub - Fairclough, S. M. - Liu, Y. - Zhu, T. - Oliver, Rachel A.
Porous pseudo-substrates for InGaN quantum well growth: Morphology, structure, and strain relaxation.
Journal of Applied Physics. Roč. 134, č. 14 (2023), č. článku 145102. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: InGaN * MQW * porosification * AFM * XRD * strain relaxation
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.2, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
https://pubs.aip.org/aip/jap/article/134/14/145102/2916034/Porous-pseudo-substrates-for-InGaN-quantum-well
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345962