Košík

0575229 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Todt, C. - Telkamp, S. - Křížek, Filip - Reichl, C. - Gabureac, M. - Schott, R. - Cheah, E. - Zeng, P. - Weber, T. - Müller, A. - Vockenhuber, C. - Panah, M.B. - Wegscheider, W.
Development of Nb-GaAs based superconductor-semiconductor hybrid platform by combining in situ dc magnetron sputtering and molecular beam epitaxy.
Physical Review Materials. Roč. 7, č. 7 (2023), č. článku 076201. ISSN 2475-9953. E-ISSN 2475-9953
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Nb sputtering * ultra high vacuum sputtering * Nb-GaAs material system * superconductor semiconductor hybrids
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.7.076201
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349118