Košík

0570709 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Brault, J. - Gordeev, Ivan - Ukraintsev, Egor - Houdková, Jana - Jiříček, Petr
Depth profiling of AlN and Al_x Ga _1−x N crystals by XPS using Al Kα and Ag Lα line excitation and Ar ion gas cluster ion source.
Journal of Applied Physics. Roč. 133, č. 3 (2023), č. článku 035301. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT LM2023051; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: AlN * AlGaN * MBE * XPS * depth profiling * chemical shifts
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.2, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1063/5.0125938
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342044