Košík

0562801 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Batysta, Jan - Liedke, M.O. - Hirschmann, E. - Butterling, M. - Wagner, A.
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers.
Materials. Roč. 15, č. 19 (2022), č. článku 6916. E-ISSN 1996-1944
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: AV ČR(CZ) PAN-20-19; OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * defects * positron annihilation spectroscopy * photoluminescence * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334994