Košík

0556467 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kashir, Alireza - Hwang, H.
A CMOS-compatible morphotropic phase boundary.
Nanotechnology. Roč. 32, č. 44 (2021), č. článku 445706. ISSN 0957-4484. E-ISSN 1361-6528
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: high-k dielectrics * HfO₂ * ZrO₂ * CMOS * equivalent oxide thickness
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.953, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac1716
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330677