Košík

0556262 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Davydova, Marina - Jiránek, J. - Fekete, Ladislav - Klimša, Ladislav - Šimek, Daniel - Lambert, Nicolas - Sedláková, Silvia - Kopeček, Jaromír - Hazdra, P.
Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth.
Diamond and Related Materials. Roč. 122, Feb (2022), č. článku 108887. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond boron-doping * substrate crystallographic orientation * plasma-enhanced chemical vapor deposition
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108887
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330553