Košík

0556036 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Voves, J. - Lambert, Nicolas - Davydova, Marina - Povolný, V. - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 121, Jan (2022), č. článku 108797. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond contacts * boron-doping * chemical vapor deposition * contact resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108797
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330411