Košík

0543404 - FZÚ 2022 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hývl, Matěj - Nogay, G. - Lőper, P. - Haug, F.J. - Jeangros, Q. - Fejfar, Antonín - Ballif, C. - Ledinský, Martin
Nanoscale study of the hole-selective passivating contacts with high thermal budget using C-AFM tomography.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 13, č. 8 (2021), s. 9994-10000. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT EF16_026/0008382; GA MŠMT LM2018110
Grant ostatní: OP VVV - CARAT CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon solar cell * passivating contact * scalpel C-AFM * C-AFM tomography * charge-carrier transport
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 10.383, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1021/acsami.0c21282
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320620