Košík

0541068 - ÚFP 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Vozda, V. - Medvedev, Nikita - Chalupský, J. - Čechal, J. - Burian, Tomáš - Hájková, V. - Juha, Libor - Krůs, Miroslav - Kunc, J.
Detachment of epitaxial graphene from SiC substrate by XUV laser radiation.
Carbon. Roč. 161, May (2020), s. 36-43. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT LTT17015; GA MŠMT(CZ) LM2015083
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: radiation * XUV laser * epitaxial graphene
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 9.594, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0008622320300282?via%3Dihub
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318648